В обзоре рассмотрены и проанализированы работы, опубликованные в зарубежной печати за последние 15 лет, по проблеме контроля распределения профиля концентрации легирующей примеси в эпитаксиальных диффузионных и ионно-имплантированных слоях соединений А3В5. Приводятся основные положения теории границы раздела полупроводник-электролит: модель энергетических уровней ионов в растворе, образование двойных слоев и распределение потенциала, а также основные электролитические процессы на границе раздела полупроводник-электролит. Проведено сравнение различных методик контроля распределения профиля концентрации носителей заряда и показаны преимущества электрохимического метода. Отмечены достоинства и перспективы использования электрохимического метода контроля концентрационного профиля. Проведена оценка ошибок данного метода.

В книге предлагается оригинальный интегральный метод, который позволяет сравнительно просто исследовать переходные процессы во многих параметрических системах. На основе этого метода рассматриваются общие свойства параметрических систем. Наибольшее внимание уделяется избирательным системам, для которых получены укороченные интегральные уравнения, позволяющие при помощи стандартных приемов найти форму колебаний в системе любого порядка. Подробно исследуются процессы нарастания колебаний в типовых системах второго порядка и их частотные характеристики. Результаты исследования доведены до простых расчетных соотношений. Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой параметрических систем, а также для студентов старших курсов радиотехнических специальностей.

Описаны 12 методов синтеза оксидной керамики и 17 технологий выращивания монокристаллов оксидов со структурами граната и шпинели для лазерной техники и магнитооптики. Выявлена взаимосвязь технологии и природы образующихся в них дефектов: в пленках, монокристаллах, керамике. Сделана классификация дефектов. Предложена, развита и апробирована методика выявления природы (сорта, разновидности) дефектов элементарной ячейки (ДЭЯ) оксидов-гранатов. С ее помощью оценено количество ДЭЯ для нескольких сотен многокомпонентных гранатовых композиций. Аналога такого решения в мировой научной литературе нет. Монография может быть полезна химикам-технологам, выращивающим монокристаллы для ОКГ (лазеров), физикам (химикам) твердого тела, проектирующим и экспериментирующим ОКГ, магнитооптику и СВЧ-технику. Она будет полезна для студентов, изучающих рост кристаллов, химию твердого тела, кристаллохимию и неорганическую химию и способствовать пониманию природы образования дефектов в кристаллах.