| 201 |
|
След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящ. памяти акад. А.В. Ржанова (1920-2000 г.г.) / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников; Отв. ред. Неизвестный И.Г. — Новосибирск: СО РАН, 2002. — 443 с., [9] л. ил: ил. — Загл. пер.: А.В. Ржанов. Солдат, ученый, учитель. След на земле. — Библиогр. в конце некоторых ст. — ISBN 5-7692-0524-5: 211.50 р.
|
| 202 |
|
Экситоны и биэкситоны в полупроводниках: сб. статей / АН МССР, Институт прикладной физики; редкол. : В. А. Москаленко (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1982. — 314 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10 р.
|
| 203 |
|
Электрические и оптические свойства полупроводников: сб. ст. / АН СССР, Дагистанский филиал, Институт физики; редкол. : Х. И. Амирханов [и др.]. — Махачкала, 1980. — 162 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.68 р.
|
| 204 |
|
Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках: переводное издание / Т. Райс [и др.] ; пер. с англ. под ред. Т. И. Галкиной, Б. Г. Журкина. — М.: Мир, 1980. — 349 с.: ил. — Библиогр.: с. 335-344. — Предм. указ.: с. 345-347. — 3.50 р.
|
| 205 |
|
Электронная теория неупорядоченных полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. и физико-техн. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич [и др.]. — М.: Наука, 1981. — 384 с.: ил. — Библиогр.: с. 381-383. — 1.00 р.
|
| 206 |
|
Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках: лекции на Международном симпозиуме. — М.: Мир, 1969. — [398] с.: граф.
Книга состоит из лекций, прочитанных на Международном симпозиуме (Москва, 1968 г.) крупными зарубежными и советскими специалистами. Предметом этих лекций были электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниковой технике, а с другой, - в ряде областей химической промышленности. Детально рассмотрены современные исследования и достижения в области теории хемосорбции и катализа, влияние примесей и внешних факторов на поверхностные свойства полупроводников. Книга рассчитана на широкий круг физиков и химиков, работающих в области исследования и применений полупроводников и катализаторов.
|
| 207 |
|
Спектроскопия внутреннего отражения: научное издание / Н. Харрик ; пер. с англ.: В. М. Золотарева, В. А. Берштейна, под ред. В. А. Никитина. — М.: Мир, 1970. — [335] с.: граф., рис. — Библиогр.: с. 282-301.
За последние годы метод спектрофотометрии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) получил широкое распространение в практике научных исследований. В книге рассмотрены преимущества метода НПВО по сравнению с классическими методами пропускания и обычного отражения. Обсуждены возможности метода применительно к решению большого круга задач в области физики, химии, в различных областях техники, в биологии и т. д. Приводятся примеры как уже осуществленных, так и возможных приложений метода к изучению структуры поверхности массивных тел и тонких пленок, и в частности поверхностных свойств полупроводников. Рассмотрены приложения метода в области изучения полимеров, повеерхностных соединений, химических реакций, адгезии, адсорбции и т. д. Книга представляет большой интерес для специалистов-спектроскопистов, работающих в различных областях науки и техники, физиков, биологов.
|
| 208 |
|
Нелинейные свойства твердых тел: сб. ст. / пер. с англ. Г. И. Левиева, В. И. Тальянского, под ред. В. М. Файна. — М.: Мир, 1972. — 435 с.: ил. — (Новости физики твердого тела). — Библиогр. в конце ст. — 1.02 р.
|
| 209 |
|
Взаимодействие миллисекундных лазерных импульсов ближнего инфракрасного диапазона спектра с конденсированными средами: монография / Е. А. Берченко, Н. С. Захаров, А. П. Соболев ; Под ред. Н. С. Захарова; 12 ЦНИИ Минобороны России. — Сергиев Посад: 12 ЦНИИ МО РФ, 2015. — 276, [4] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Б.ц.
Книга посвящена анализу, систематизации и обобщению результатов теоретических и экспериментальных работ российских и зарубежных исследователей, направленных на изучение процессов взаимодействия миллисекундных импульсов лазерного излучения ближнего инфракрасного диапазона спектра с основными классами материалов. Изложена физическая картина явлений взаимодействия лазерных импульсов с конденсированными средами. Приведены расчетно-теоретические модели, описывающие процессы взаимодействия лазерных импульсов с основными классами материалов, дан анализ их применимости. Рассмотрены условия перехода от тепловых режимов к плазменным. Поскольку миллисекундный импульс лазерного излучения часто состоит из серии микросекундных пичков, во время действия которых интенсивность излучения значительно превышает среднюю и может реализоваться плазменный режим воздействия, в данной книге среди других рассматриваются также вопросы воздействия микросекундных импульсов в плазменных режимах. Для специалистов в области квантовой оптики и лазерной физики, студентов, аспирантов и преподавателей физических факультетов государственных университетов и технических вузов.
|
| 210 |
|
Кинетическая теория лазеров: монография / В. С. Машкевич. — М.: Наука: Физматлит, 1971. — 472 с.: ил. — Библиогр.: с. 465-469. — Предм. указ.: с. 470-472. — 1.86 р.
В монографии последовательно и подробно рассмотрены основные принципы и многочисленные приложения кинетической теории лазеров. Формулируется феноменологическая теория квантовых диссипативных систем. Дается вывод кинетических уравнений для лазера и условий их применимости. Проводится общее рассмотрение стационарной генерации при квазиравновесном состоянии активной среды. Исследуются основные случаи нарушения квазиравновесия. На основе метода стационарных нормальных колебаний рассматривается ширина линии моды. Результаты общей теории прилагаются к системе люминесцирующих центров. Исследуется проблема устойчивости стационарного режима. Строится теория гигантских импульсов при активной модуляции добротности. Рассматривается генерация лазерного излучения на комбинационном рассеянии (вынужденное комбинационное рассеяние). Проводится исследование генерации на всех основных фотопереходах в полупроводниках. Исследуется роль экситонов в полупроводниковом лазере и генерация на различных непрямых экситонных переходах. Изучается влияние квантующего магнитного поля на генерацию в полупроводниках. Таблиц - 1, рисунков - 50, библиография - 171 название.
|