Нелинейные неравновесные процессы в плазменно-пучковых волноводах и резонаторах: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02 / М. В. Кузелев ; офиц. оппоненты: А. Г. Свешников, Ю. Н. Днестровский, В. И. Шевченко; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Физический институт АН СССР им. П. Н. Лебедева, Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина. — М., 1987. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-33.

Волновые коллективные процессы в каналах транспортировки релятивистских электронных пучков: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.08 / М. Г. Никулин ; офиц. оппоненты: В. К. Гришин, А. М. Игнатов, С. С. Моисеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский радиотехнический институт РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (Технический университет) (М.). — М., 1998. — 31 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-31.

Исследование генерации импульсного электронного пучка в диоде с высоким импедансом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / М. И. Кайканов ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Ю. А. Бурачевский; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т, Институт электрофизики УрО РАН. — Томск, 2013. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. М. Анненков ; офиц. оппоненты : Э. Д. Алукер, В. Н. Брудный, А. И. Непомнящих; Томский политехнический университет, Уральский государственный технический университет. — Томск, 2002. — 42 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-42.

Формирование лапласовских структур в неравновесных условиях: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.07 / М. Д. Носков ; науч. конс. В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, А. И. Потекаев, В. Я. Эпп; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Северский государственный технологический институт (Северск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2004. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-32.