| 1941 |
|
Шумы в электронных приборах и системах: переводное издание / М. Букингем ; пер. с англ. А. Б. Мещерякова, В. П. Митрофанова, Г. А. Сидоровой, под ред. В. Н. Губанкова. — М.: Мир, 1986. — 398, [2] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце разд. — Предм. указ.: с. 389-393. — 2.00 р.
|
| 1942 |
|
Оптические системы связи: переводное издание / Д. Гауэр ; пер. с англ. А. И. Ларкина, В. К. Соколова, под ред. А. И. Ларкина. — М.: Радио и связь, 1989. — 504 с.: ил. — Библиогр.: с. 494-495. — ISBN 5-256-00113-2: 2.50 р.
|
| 1943 |
|
Успехи фотоники : сборник. — Л.; : Ленинградский университет , Б.г.
Вып. 5 :. — , 1975. — 179 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.14 р.
|
| 1944 |
|
Паразитные процессы в радиоэлектронной аппаратуре: монография / М. Л. Волин. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1981. — 295, [1] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 288-290 с. — Предм. указ.: с. 291-292. — 0.95 р.
|
| 1945 |
|
Инфракрасная термография. Основы, техника, применение = La Thrmographie infrarouge. Principes-Technolodjie-Applications: монография / Ж. Госсорг ; пер. с фран. Н. В. Васильченко, под ред. Л. Н. Курбатова. — М.: Мир, 1988. — 399, [1] с.: ил. — Библиогр.: с. 384-385. — ISBN 2-85206-238-0: 00.00.
|
| 1946 |
|
Цифровая обработка многомерных сигналов: монография / Д. Даджион, Р. Мерсеро ; пер. англ. В. А. Григорьева, К. Г. Финогенова, под ред. Л. П. Ярославского. — М.: Мир, 1988. — 488 с.: ил. — Библиогр.: с. 476-484. — ISBN 5-03-000402-5: 2.40 р.
|
| 1947 |
|
Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: учеб. пособие для вузов / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 415, [1] с.: ил. — Библиогр.: с. 411-412. — 1.40 р.
|
| 1948 |
|
Очерки истории российской электроники : [сборник статей]. — М.; : Техносфера , Б.г.
Вып. 4 : К 50-летию электронной промышленности / под ред. Б. М. Малашевича; сост. В. М. Пролейко. — , 2011. — 623 с. ; [3] л.: ил. — ISBN 978-5-94836-275-5: 636.00 р.
Выпуск сборника посвящен истории создания и развития отечественной электронной промышленности как самостоятельной отрасли. Выделение электронной промышленности произошло 16 марта 1961 года созданием Государственного комитета по электронной технике и назначением А. И. Шокина председателем комитета — министром электронной промышленности. С этого момента отечественная электронная промышленность развивалась стремительными темпами, войдя в тройку мировых лидеров. К сожалению, эта позиция была утрачена в годы перестройки и последующие, и лишь в последнее время наметилась тенденция к некоторому восстановлению. Целью данного сборника является желание описать истинную историю отечественной электронной промышленности и внушить читателю оптимизм по поводу будущего российской электроники.
|
| 1949 |
|
Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий : учеб. пособие для вузов: в 2 т . / под общ. ред. Ю. Н. Коркишко. — М.; : БИНОМ. Лаборатория знаний , Б.г.
Т. 1 : Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райнова. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. — 392 с. — Библиогр.: с. 386-389. — ISBN 978-5-9963-0335-9: 375.00 р.
Распределение данной книги на 2 тома обусловлено большим объемом материала, касающегося интегральных микро- и нанотехнологий; при этом каждый из томов представляет вполне самостоятельный интерес. В первом томе основное внимание обращается на анализ физико-химических основ ключевых технологических процессов микроэлектроники, таких как гетерогенное фазообразование, перераспределение вещества при термической и нетермической активации процессов, фотохимическое воздействие различных излучений, полей и др. Взаимосвязь этих процессов на протяжении всего технологического цикла изготовления интегральных схем устанавливается путем рассмотрения проблем межфазного взаимодействия в неравновесных микрогетерогенных системах, совместимости контактирующих материалов, анализа критериев, позволяющих прогнозировать физико-химический характер взаимодействия с использованием диаграмм фазовых равновесий. Для студентов, изучающих технологию микроэлектроники и радиотехнических микроэлектронных устройств, аспирантов и специалистов.
|
| 1950 |
|
О нелинейном механизме переноса энергии фронтом возмущения при локальном высокоэнергетическом нагружении: научное издание / С. Г. Псахье, К. П. Зольников, И. А. Костин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М. ; СПб. Изучены особенности распространения возмущения в кристаллите меди при локальном высокоэнергетическом нагружении. Исследования проводились на основе метода молекулярной динамики с использованием многочастичных потенциалов, рассчитанных в рамках метода погруженного атома. Показано, что в кристаллите формируется нелинейный уединенный импульс, который в отличие от линейного возмущения, способен переносить энергию с высокой плотностью на относительно большие расстояния. Глубина переноса энергии определяется как площадью, так и скоростью локального нагружения.
|