Методы повышения чувствительности сенсорных систем на основе поверхностного плазмонного резонанса: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Т. И. Ксеневич ; науч. рук. П. И. Никитин, офиц. оппоненты: А. Н. Георгобиани, В. В. Савранский; Центр естественно-научных исследований (М.), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт биоорганической химии им. М. М. Шемякина и Ю. А. Овчинникова. — М., 2001. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Научные основы создания и регулирования резистивных свойств высоконаполненных эластомеров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. Н. Минакова ; науч. конс. В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, К. П. Арефьев, В. Э. Борзых; Томский политехнический университет (Томск), Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Томск, 2001. — 45 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-45.

Исследование структуры поликристаллических полимеров методом спектроскопии комбинационного рассеяния света: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Г. Ю. Николаева ; науч. рук. К. А. Прохоров, офиц. оппоненты: В. С. Горелик, А. А. Соболь; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт спектроскопии РАН (Троицк). — Томск, 2001. — 45 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Активная спектроскопия объемных и поверхностных поляритонов в кристалле BeO: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / С. Н. Орлов ; науч. рук. Ю. Н. Поливанов, офиц. оппоненты: Л. А. Кулевский, А. Н. Пенин; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт спектроскопии РАН (Троицк). — М., 2001. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Резонансная интерференционная стабилизация ридберговских атомов в сильном лазерном поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Н. П. Полуэктов ; науч. рук. М. В. Федоров, офиц. оппоненты: В. П. Крайнов, О. В. Тихонова; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский инженерно-физический институт (технический университет) (М.). — М., 2001. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14.

Теоретическое исследование автоэлектронной эмиссии из сверхпроводящих материалов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.13 / И. В. Уйманов ; науч. рук. Е. А. Литвинов, офиц. оппоненты: М. В. Медведев, Ю. Д. Панов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Башкирский государственный университет (Уфа). — Екатеринбург, 2001. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Оптические и теплофизические свойства металлов, керамик и алмазных пленок при высокотемпературном лазерном нагреве: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / О. Г. Царькова ; науч. рук.: В. И. Конов, С. В. Гарнов, офиц. оппоненты: В. Н. Стрекалов, И. К. Красюк; Центр естественно-научных исследований (М.), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН. — М., 2001. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Геометрия и динамика в теории струн с N-расширенной локальной суперсимметрией: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.02 / А. В. Галажинский ; офиц. оппоненты: М. О. Катанаев, П. М. Лавров, А. И. Пашнев; Томский политехнический университет (Томск), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2002. — 31 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-31.

Классическая аппроксимация квантовой теории спина: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / А. Н. Мягкий ; науч. рук. В. А. Бордовицын, офиц. оппоненты: В. Я. Эпп, Ю. Л. Пивоваров; Томский государственный университет (Томск), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — Томск, 2002. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Воздействие импульсного пучка электронов на газо-фазные галогениды кремния и вольфрама: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12, 01.04.08 / А. И. Пушкарев ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: Ю. Н. Новоселов, А. А. Орлов; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2002. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.