Исследование сильноточного разряда низкого давления с полым катодом в условиях генерации жесткого ультрафиолетового излучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / Н. В. Ландль ; науч. рук. Ю. Д. Королев, офиц. оппоненты : Г. И. Сухинин, В. И. Орешкин; Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2010. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Исследование разряда в скрещенных полях в неоне: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Сасин ; науч. рук. С. Д. Вагнер, офиц. оппоненты : Л. Д. Цендин, В. И. Сысун; Карельская государственная педагогическая академия, Санкт-Петербургский государственный университет, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 2010. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Моделирование излучения плотной высокотемпературной плазмы и физических процессов, протекающих при имплозии Z-пинчей: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. И. Орешкин ; науч. рук. Н. А. Ратахин, офиц. оппоненты : В. И. Афонин, В. А. Гасилов, А. В. Козырев; Институт сильноточной электроники СО РАН, РНЦ "Курчатовский институт". — Томск, 2005. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-38.

Эффекты взаимодействия тонких слоев магнитных коллоидных наносистем с магнитным и электрическим полями: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / Л. С. Мкртчян ; науч. рук. Ю. И. Диканский, офиц. оппоненты : А. Я. Симоновский, Х. Ш. Борлаков; Ставропольский государственный университет, Юго-Западный государственный университет. — Ставрополь, 2012. — 17 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-17.

Феноменологические основы импульсного электрического нагрева металлов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. М. Искольдский ; офиц. оппоненты: В. М. Титов, С. Д. Фанченко, Ю. П. Усов; Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР, Энергетический ин-т им. Г. М. Кржижановского. — Томск, 1986. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-33.

Исследование прикатодных процессов электрического разряда в гелии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Н. Я. Клыгин ; науч. рук. Л. И. Киселевский, офиц. оппоненты: К. И. Эфендиев, П. А. Науменков; Институт физики АН БССР, Институт сильноточной электроники СО АН СССР. — Минск, 1983. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Комплексное расчетно-теоретическое исследование и оптимизация мощных импульсных плазменных электрофизических установок: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / Н. В. Калинин ; науч. конс.т В. А. Бурцев, офиц. оппоненты : А. Н. Старостин, Г. А. Шнеерсон; Науч.-исслед. ин-т электрофизической аппаратуры, Ин-т общей физики. — СПб., 2005. — 34 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-34.

Теория быстропротекающих процессов взаимодействия сильных электрических полей с неравновесными потоками электронов в плотных газах, полупроводниках и вакууме: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. Ю. Кожевников ; науч. рук. А. В. Козырев, офиц. оппоненты : Н. Б. Волков, В. Л. Паперный, А. П. Потылицын; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Ин-т теор. и прикл. механики им. С. А. Христиановича СО РАН. — Томск, 2019. — 31 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-31.

Увеличение эффективности передачи магнитной энергии индуктивных накопителей в термоядерных устройствах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. П. Лотоцкий ; науч. рук. Ю. В. Скворцов, офиц. оппоненты : А. М. Столов, Э. А. Азизов; Ин--т атомной энергии им. И. В. Курчатова, Харьковский физ.-техн. ин-т АН УССР (Харьков). — Л., 1985. — 17 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 17.

Исследование взрывного размыкателя с гашением разряда продуктами детонации: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / Б. Д. Янковский ; науч. рук. Э. А. Азизов, офиц. оппоненты : А. М. Столов, П. И. Зубков; Ин-т атомной энергии им. И. В. Курчатова, Ин-т высоких температур АН СССР. — Л., 1985. — 14 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 13-14.