| 981 |
|
Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках: монография / Ю. К. Пожела. — М.: Наука, 1977. — 367 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 347-364. — Предм. указ.: с. 365-367.
|
| 982 |
|
Физика пористых структур: монография / С. О. Гладков ; Рос. АН, Ин-т химической физики им. Н. Н. Семенова. — М.: Наука, 1997. — 175 с.: ил. — ISBN 5-02-004446-6: 22.60 р.
|
| 983 |
|
Nanostructures : Physics and Technology: 7th International Symposium, St Petersburg, Russia, June 14-18, 1999 : Proceedings. — St Petersburg: Ioffe Institute, 1999. — 565 с. — ISBN 5-86763-008-0: 35.00 р. |
| 984 |
|
Теория электронной жидкости нормальных металлов: сб. статей / АН СССР, Физический институт им. П. Н. Лебедева; отв. ред. тома В. П. Силин. — М.: Наука, 1985. — 187 с.: ил. — (Труды Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР / гл. ред. Н. Г. Басов). — Библиогр. в конце статей. — 2.70 р. |
| 985 |
|
Современные инжекционные лазеры: монография / А. Е. Жуков, М. В. Максимов; С.-Петерб. физ.-технол. науч.-образоват. центр РАН. — СПб.: Издательство Политехнического университета, 2009. — 275, [1] с.: ил.; 21 см. — ISBN 978-5-7422-2406-8: 462.00 р.
Систематизированы физические принципы функционирования и особенности приборных характеристик современных полупроводниковых лазеров, использующих в качестве активной области полупроводниковые наноструктуры — квантовые ямы и массивы квантовых точек, затронуты технологические аспекты изготовления подобных лазеров, обобщены основные экспериментальные результаты в этой области. Издание адресовано студентам магистратуры технических вузов и аспирантам научных специальностей, связанных с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами, гетероструктурами и приборами на их основе.
|
| 986 |
|
Amorphous and polycrystalline thin-films silicon science and technology-2011 (April 25-29, 2011 ; San Francisco, California): Symposium Proceedings / Materials Research Society; eds.: B. Yan [et al.]. — Cambridge; New York; Melbourne; Warrendale: Cambridge University Press: MRS, 2012. — XVI,466 p.: ill.; 23 cm. — (Materials Research Society. Symposium Proceedings). — Bibliogr. at the end of the art. — ISBN 978-1-60511-298-5: 672.00 р. |
| 987 |
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: переводное издание / под ред. Л. Ченга, К. Плога, пер. с англ. под ред. Ж. И. Алфёрова, Ю. В. Шмарцева. — М.: Мир, 1989. — 584 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-000737-7: 5.90 р. |
| 988 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках. Теория: пер. с англ. / М. Ланно, Ж. Бургуэн ; пер. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина ; под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1984. — 263 с.: ил. — Библиогр.: с. 248-253. — Предм. указ.: с. 254-259. — 2.30 р.
Цель данной книги - познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция.Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
|
| 989 |
|
Классики физической науки (с древнейших времен до начала XX в.): [сб. текстов] / Г. М. Голин, С. Р. Филонович. — М.: Высшая школа, 1989. — 576 с.: ил. — Библиогр.: с. 576. — ISBN 5-06-000058-3: 2.00 р.
|
| 990 |
|
Альберт Эйнштейн и теория гравитации: Сб. статей. [К 100-летию со дня рождения]. — М.: Мир, 1979. — 592 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — Имен. и предм. указ.: с. 576-588. — 3.10 р. |