Рассмотрены теоретические основы и математическое моделирование процессов роста монокристаллов полупроводников из расплава с использованием теории случайных явлений для управления процессом роста бездефектных кристаллов. Представлены результаты математического моделирования равновесия фаз многокомпонентных систем. макро- и микрокинетки парофазной эпитаксии кремния и соединений АIIIBV в хлоридно-гидридном и МОС-гидридном процессах. Рассмотрены актуальные для микроэлектроники технологии получения скрытых проводящих и диэлектрических слоев в кремнии, предложен механизм их фазообразования. Показано, что развитие работ в области органических полупроводников, в том числе с фрактальными кластерами и наночастицами различных элементов в полимерах, позволяет получать материалы с особыми свойствами. С использованием современных основ материаловедения рассмотрены пути сохранения и улучшения эксплуатационных свойств монокристаллического кремния путем его термообработки и легирования. Проведен анализ результатов обработки большой группы материалов и слоев многоуровневых СБИС, на которых методом химико-механической полировки достигнута наноразмерная шероховатость поверхности без дефектов монокристаллической структуры. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области получения и исследования материалов микро- и наноэлектроники, для всех работающих в области разработки новых материалов, оптимизации технологических процессов, а также студентов и аспирантов.

Четвёртое издание (1-е изд. — 2000 г.) энциклопедического словаря-справочника, переработанное, исправленное, дополненное и иллюстрированное, содержит около 23500 терминов, используемых в компьютерной и радиотехнической литературе, руководствах по эксплуатации, информационных каталогах и др. материалах по электронной технике, а также встречающихся в системах телекоммуникации (фиксированная и мобильная телефония, спутниковая связь, Интернет и пр.) и при работе с различной радиоэлектронной аппаратурой. Данное издание словаря значительно пополнено по сравнению с предыдущим (на 4500 терминов), многие термины переработаны и исправлены. Материал представлен в удобной для поиска форме. Издание имеет собственный сайт-приложение в Интернете (http://ee.1963.ru). Предназначено для профессионалов и любителей компьютерной техники, электроники, радио-, аудио- и видеотехники (как профессиональной, так и бытовой), для специалистов по закупке, продаже и ремонту радиоэлектронной аппаратуры, для работников телевидения и радио, учащихся соответствующих специальностей, пользователей ПК, мобильных телефонов и РЭА, а также для переводчиков англоязычной научно-технической литературы и всех, кто по роду своей деятельности сталкивается с электронной аппаратурой и современными коммуникационными технологиями.

Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.