| 1 |
|
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 2 |
|
Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 3 |
|
Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 4 |
|
Исследование кинетики ударной ионизации и свечения в ЩГК: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Г. Еханин ; науч. рук.: Г. А. Воробьев, Н. С. Несмелов, офиц. оппоненты: Ю. Е. Крейндель, М. Б. Котляревский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники, Латвийский государственный университет им. П. Стучки. — Томск, 1974. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12.
|
| 5 |
|
Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.
|
| 6 |
|
Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.
|
| 7 |
|
Основы физики и техники полупроводников: монография / Л. Л. Неменов, М. С. Соминский; Отделение общей физики и астрономии АН СССР. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1974. — 394, [2] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 387-392. — 1.83 р.
В книге изложены основы физики полупроводников и их практические применения. Первые четыре главы охватывают все главные вопросы, связаные с теорией, физико-химическими свойствами и технологией полупроводников. Пятая глава содержит описание полупроводниковых приборов, их принципиального устройства и применения.Книга служит элементарным введением в сложную область современной полупроводниковой электроники. Ознакомление с ней - это первый этап в освоении физики и практики полупроводников, после чего можно приступать к чтению более сложной и специализированной литературы.
|
| 8 |
|
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического тока: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. К. Келбиханов ; науч. рук. Г. А. Абдурагимов, офиц. оппоненты: Н. М. Богатов, Р. А. Рабаданов; Дагестанский государственный педагогический университет (Махачкала). — Нижний Новгород, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.
|
| 9 |
|
Термодинамическое и статистическое исследование канальной стадии импульсного электрического пробоя конденсированных сред: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. Д. Ильюшенков ; науч. рук. М. П. Тонконогов, офиц. оппоненты: Ю. М. Волокобинский, Е. К. Завадовская; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Карагандинский политехнический институт (Караганда), Институт прикладной физики АН Молдавской ССР. — Томск, 1974. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.
|
| 10 |
|
Некоторые вопросы теории неустойчивости электронно-дырочной плазмы в электрическом и магнитном полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. И. Ципивка ; науч. рук.: В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, офиц. оппоненты: В. И. Гаман, Е. А. Литвинов; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Институт физики полупроводников (Новосибирск). — Томск, 1974. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|