| 1461 |
|
Взрывная электронная эмиссия в СВЧ полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Контонистов ; науч. рук.: Г. Н. Фурсей, Л. А. Широчин, офиц. оппоненты: А. Ф. Александров, В. И. Энгелько; Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума (М.), Ленинградский электротехнический институт связи им. М. А. Бонч-Бруевича, Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (Л.). — М., 1986. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-17.
|
| 1462 |
|
Моделирование и диагностика электроимпульсных процессов получения активированных заполнителей: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / А. А. Проскурин ; науч. рук. И. И. Каляцкий, офиц. оппоненты: В. В. Кремнев, В. П. Иванченков; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Томский инженерно-строительный институт (Томск), Проектно-конструкторское бюро электрогидравлики АН УССР (Николаев). — Томск, 1988. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 1463 |
|
Моделирование и диагностика электроимпульсных процессов получения активированных заполнителей: дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / А. А. Проскурин ; науч. рук. И. И. Каляцкий; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Томский инженерно-строительный институт (Томск). — Томск, 1988. — 191 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 149-162.
|
| 1464 |
|
Исследование путей улучшения поверхностных свойств ниобия в целях создания мощных сверхпроводящих СВЧ-структур: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Л. Н. Пучкарева ; науч. рук. А. Н. Диденко; Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск). — Томск, 1983. — 195 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 179-195.
|
| 1465 |
|
Разработка и исследование источников мощных наносекундных потоков заряженных частиц и рентгеновского излучения: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.13 / Н. А. Ратахин ; офиц. оппоненты: С. Д. Коровин, Г. Е. Ремнев, А. В. Аржанников; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2000. — 56 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 54-56.
|
| 1466 |
|
Разработка и внедрение электронно-лучевой аппаратуры на основе источников с плазменным эмиттером: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Н. Г. Ремпе; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2002. — 270 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 246-263.
|
| 1467 |
|
Моделирование сильноточных устройств и измерительных цепей: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / Н. Е. Родионов ; науч. рук. А. М. Искольдский; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1988. — 113 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 108-113.
|
| 1468 |
|
Моделирование сильноточных устройств и измерительных цепей: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / Н. Е. Родионов ; науч. рук. А. М. Искольдский, офиц. оппоненты: В. М. Быстрицкий, А. О. Егоршин; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт прикладной физики АН СССР (Горький). — Томск, 1988. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.
|
| 1469 |
|
Исследование методов повышения эффективности сильноточной релятивистской лампы обратной волны: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. М. Ройтман ; науч. рук. С. Д. Коровин, офиц. оппоненты: В. И. Кошелев, М. И. Яландин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 1995. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 1470 |
|
Исследование методов повышения эффективности сильноточной релятивистской лампы обратной волны: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. М. Ройтман ; науч. рук. С. Д. Коровин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1995. — 154 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 148-154.
|