Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Разработка плазменных технологий и оборудования для осаждения тонкопленочных теплоотражающих покрытий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. Д. Баинов ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : С. В. Смирнов, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-производственный центр "Полюс". — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Осаждение металлических покрытий с помощью магнетрона с жидкофазной мишенью: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / А. В. Юрьева ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: Н. В. Волков, С. В. Работкин; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2017. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Осаждение поликристаллических алмазных пленок в аномальном тлеющем разряде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / С. А. Линник ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты Б. В. Спицын, Н. С. Сочугов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. — Томск, 2013. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.

Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. В. Исмаилов ; науч. рук. А. П. Ильин, офиц. оппоненты : П. М. Плетнев, Л. П. Борило; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Юго-Западный гос. ун-т. — Томск, 2018. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.23-24.

Разработка ионно-пучковых методов модификации свойств алюминиевых сплавов на основе использования радиационно-динамических эффектов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. М. Можаровский ; науч. конс. В. В. Овчинников, оппоненты: Ю. П. Шаркеев, В. П. Кривобоков, А. В. Козлов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2011. — 39 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-39.

Разработка и исследование пучково-плазменных методов повышения эксплуатационных свойств изделий из металлических материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / К. Уемура; Нац. исслед. Том. политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 26 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Фотоэмиссионные свойства тонких пленок антимонидов щелочных металлов, сконденсированных в условиях сверхвысокого вакуума: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / И. А. Нестеров ; науч. рук. В. М. Геллер, науч. конс. А. Б. Беркин, офиц. оппоненты: В. Н. Брудный, С. Н. Янин; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск), Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" (СПб.), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2009. — 24 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 21-24.

Системы на основе несамостоятельных газовых разрядов низкого давления для генерации потоков ионов плазмы: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь; Институт сильноточной электроники СО РАН, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2011. — 30 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-30.

Формирование a-C:H:SiOx пленок методом плазмохимического осаждения: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. С. Гренадеров ; науч. рук. А. А. Соловьев, офиц. оппоненты : Б. П. Гриценко, Г. А. Поздняков; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Нац. исслед. ун-т "МЭИ". — Томск, 2018. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с.19-20.