| 1181 |
|
Гидродинамическая модель катодной плазменной струи вакуумно-дугового разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / М. П. Луковникова ; науч. рук. И. А. Кринберг, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, В. И. Орешкин; Иркутский государственный университет (Иркутск), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (СПб.), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Иркутск, 1999. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 1182 |
|
Эмиттеры заряженных частиц непрерывного действия с большой поверхностью на основе разрядов с холодным катодом: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Я. Мартенс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 193 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 143-155.
|
| 1183 |
|
Экспериментальное исследование вынужденного излучения сильноточных электронных пучков в ондулляторах: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Г. В. Мельников ; науч. рук. А. Н. Диденко; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 1982. — 124 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 111-122.
|
| 1184 |
|
Экспериментальное исследование вынужденного излучения сильноточных электронных пучков в ондулляторах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Г. В. Мельников ; науч. рук. А. Н. Диденко, офиц. оппоненты: А. А. Рухадзе, В. Л. Братман; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Харьковский физико-технический институт АН УССР (Харьков), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1982. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.
|
| 1185 |
|
Электронномикроскопические исследования структуры и электронных процессов в МДМ-катодах: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Миллер ; науч. рук. Г. А. Воробьев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 1983. — 140 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 127-140.
|
| 1186 |
|
Исследование влияния эмиссионных и коммутационных процессов на параметры рентгеновских импульсов диодов с взрывной эмиссией: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Л. Я. Морговский ; науч. рук. С. П. Бугаев; Ленинградское научно-производственное объединение "Буревестник", Всесоюзный научно-исследовательский и конструкторский институт научного приборостроения. — Л., 1983. — 206 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 185-206.
|
| 1187 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2001. — 186 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 170-183.
|
| 1188 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 1189 |
|
Источники широкоапертурных ионных пучков на основе вакуумного дугового разряда в сильном магнитном поле: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Г. Николаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1998. — 124 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 108-121.
|
| 1190 |
|
Источники широкоапертурных ионных пучков на основе вакуумного дугового разряда в сильном магнитном поле: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Г. Николаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: А. И. Рябчиков, А. П. Семенов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Всероссийский электротехнический институт (М.). — Томск, 1998. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.
|