Приведены данные о габаритных размерах, электрических параметрах, предельно допустимых значениях режимов эксплуатации и основных функциональных назначениях выпрямительных полупроводниковых диодов, столбов, блоков, диодных сборок и матриц, стабилитронов, тиристоров, универсальных и импульсных диодов, варикапов, туннельных диодов. В ближайшее время планируется выпуск справочника, включающего в себя справочные данные о биполярных и полевых транзисторах широкого применения. Для специалистов, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, студентов соответствующего профиля, радиолюбителей.

В справочнике приведены сведения о более 5000 тыс. зарубежных и отечественных полупроводниковых приборах, выпускаемых в настоящее время и выпущенных за последние 20 лет (диодах, стабилитронах и стабисторах, диодах СВЧ, варикапах, тиристорах, оптронах, фотодиодах и магнитодиодах), и приведены аналоги для их замены. Основные параметры приведены в форме таблиц. В каждой таблице предусмотрена возможность добавления новых п/п приборов. В справочнике приведены графические изображения корпусов и основные размеры. Справочник рассчитан на широкий круг радиолюбителей, занимающихся ремонтом и сборкой радиоэлектронной аппаратуры.

В справочнике описаны принцип работы и конструкция отечественных серийно выпускаемых силовых полупроводниковых приборов, приведены параметры и характеристики приборов, методы расчета рабочих режимов в зависимости от условий применения, рекомендации по групповому соединению, методы расчета нагрузочной и перегрузочной способностей.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.

Книга посвящена кругу вопросов, связанных с применением туннельных диодов в импульсных схемах. Рассматриваются свойства туннельных диодов, их характеристики, а также характеристики комбинированных схем, вопросы аппроксимации характеристик . Главное внимание уделено анализу работы туннельных диодов в схемах усиления колебаний, в схемах автогенераторов и триггеров. Излагаемый материал в значительной степени основывается на теоретических и экспериментальных работах автора и его сотрудников; здесь также использован ряд работ, опубликованных в отечественной и зарубежной литературе. Книга рассчитана на специалистов, работающих в области импульсной техники и полупроводниковых устройств, и на студентов вузов.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.