Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1-x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах : оксида SiO2, оксинитрида SiO2Ny, и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.

Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.

Сборник составлен по материалам докладов, представленных на совещании по "Электрогидродинамике и электрофизике жидких диэлектриков" с целью отражения основных результатов, полученных к настоящему времени специалистами, работающими в этой быстроразвивающейся области науки. В материалах настоящего сборника освещены теоретические и экспериментальные вопросы конденсаторостроения, механизмы проводимости и зарядообразования в диэлектрических материалах, устройство и работа современных высоковольтных источников питания.Сборник рассчитан на научных сотрудников, инженеров, аспирантов и студентов.ОКБ "Новик" при Санкт-Петербургском университете.

Учебное пособие предназначено для студентов, магистрантов и аспирантов факультетов физики и технологии и предпринимательства педагогических университетов. рассмотрены основные положения и идеи современной электрофизики полимерных диэлектриков, а также важнейшие научные достижения, полученные в ходе их развития. В содержание данного пособия включены материалы, обеспечивающие понятийную и информационную поддержку таких дисциплин как :"Общая физика", "Прикладная физика", "Физика твердого тела", "Современная техническая физика", "Наукоемкие технологии", "Материаловедение".

Книга сочетает в себе черты монографии и учебного пособия. Описаны физические свойства кремния, представляющие интерес с точки зрения нелинейной оптики. Изложены основы феноменологического и микроскопического подходов, используемых в теории генерации оптических гармоник в кремнии. Предложена комплексная модель генерации второй гармоники на кремниевых межфазных границах, учитывающая интерференцию различных вкладов в нелинейно-оптический отклик, анизотропию среды, фотогенерацию неравновесных носителей и многое другое. Дан подробный аналитический обзор экспериментальных работ, демонстрирующий как историю развития нелинейной оптики кремния и кремниевых наноструктур, так и ее современное состояние. Для научных сотрудников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области нелинейной оптики и спектроскопии поверхности, микро- и нанотехнологии кремния.

Изложены основные физические представления по упругим и акустическим свойствам ионных, керамических диэлектриков и высокотемператруных сверхпроводников (ВТСП) с позиций теории упругости, динамической теории кристаллических решеток и физической акустики. Дается описание современных методов и средств измерения упругих и акустических характеристик твердых тел. Систематизирован материал по экспериментальным и теоретическим исследованиям этих свойств при тепловом, радиационном воздействиях и сжатии. Уделяется внимание практическому использованию ионных, керамических и ВТСП материалов в технике. Для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики твердого тела, физического материаловедения, а также студентов старших курсов инженерно-технических и физических специальностей вузов.

Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.

Делается попытка дать единое теоретическое толкование свойств диэлектриков при воздействии электромагнитных полей широкого спектра частот на основе теории вынужденных колебаний. Дается обобщение теории на возможно большее число технических диэлектриков с широким спектром механизмов поляризации. Рассматривается упругая электронная и ионная поляризация, поляризация по типу математического маятника и физического маятника, дипольная поляризация и релаксационные виды поляризации. Монография может быть полезна для научных сотрудников и технологов, работающих в области физики диэлектриков.

Сборник содержит обзорные и оригинальные работы, выполненные за период с 1980 по 1983 г. Представлены результаты исследования электрической изоляции и разрядов в вакууме, сжатых газах, жидкостях и твердых диэлектрических материалах.Книга рассчитана на специалистов в области физики разрядов в диэлектриках, а также разработчиков мощных импульсных энергоустановок.

В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.

Настоящая книга представляет собой вводный курс физики твердого тела, охватывающий как основные представления теории, так и ее приложения к описанию физических свойств твердых тел и происходящих в них процессов. В книге отражены следующие вопросы: теория кристаллической решетки (включая роль дефектов, тепловые свойства, диффузию), необходимые сведения из атомной физики и квантовой механики и на этой основе - электронная теория твердого тела. Далее изложены применения этой теории к анализу электрических и магнитных свойств диэлектриков, ионных кристаллов, полупроводников и металлов. Книга написана простым и доступным языком с минимальным использованием математического аппарата; авторы умело и на современном уровне объясняют многие сложные и тонкие вопросы, опираясь на наглядные модельные представления. Книга может быть рекомендована в качестве дополнительного учебного пособия студентам университетов и физико-технических вузов, начинающим изучать физику твердого тела или отдельные ее разделы. Она будет полезна молодым специалистам и преподавателям этой дисциплины, а также научным работникам смежных с физикой областей науки, желающим ознакомиться с основными представлениями и методами физики твердого тела.??.

Книга посвящена новому разделу физики твердого тела и твердотельной электроники — исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеют большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел и, кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Предмет книги изложен на нескольких уровнях — от качественного рассмотрения и феноменологических расчетов до строгого количественного анализа. Значительное место уделено обсуждению экспериментальных результатов. Книга рассчитана на широкий круг научных работников — специалистов в области физики полупроводников и диэлектриков, инженеров, занимающихся исследованием электронных процессов в твердом теле, а также на студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специальностей.

В монографии разработана самосогласованная статистическая электронная модель ионной решетки диэлектриков в формализме метода функционала электронной плотности. На этой основе исследованы реконструктивные фазовые превращения, протекающие в кристаллах в экстремальных условиях высоких давлений и температур. Рассматривается ряд размерных эффектов, возникающих при фазовых превращениях в кристаллах малых размеров (100 ангстрем и меньше). Особое внимание уделяется моделированию фазовых переходов в кристаллах при высоких температурах с использованием метода молекулярной динамики. Для научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов вузов.

В сборник включены работы по электронным свойствам металлов, физике полупроводников и диэлектриков, металлофизике, содержащие новые результаты теоретических и экспериментальных исследований. Рассмотрены вопросы взаимодействия электронных и ионных пучков с кристаллами, методики получения и исследования кристаллов с применением рентгеновского анализа, электронной микроскопии, методов ЭПР, ЯМР и др. Сборник рассчитан на научных работников и инженеров, занимающихся исследованиями в области физики твердого тела.

В монографии излагаются результаты первого систематического исследования свойств ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников при импульсном облучении электронными пучками средней и высокой плотности. Авторы обнаружили и подробно рассматривают ряд новых явлений: высокоэнергетическую проводимость, фундаментальную плазменную люминесценцию, хрупкое раскалывание диэлектрических и полупроводниковых кристаллов.Книга представляет интерес для специалистов по физике диэлектриков и полупроводников, радиационной физике твердого тела, электронике, сильноточной ускорительной технике. Материал книги также полезен студентам старших курсов соответствующих специальностей.

Книга содержит описание практических работ по физике полупроводников, сегнетоэлектриков и диэлектриков, низких температур. Описания задач включают основы теории исследуемых явлений, схемы экспериментальных установок, порядок выполнения эксперимента. Представлены работы, охватывающие равновесные и неравновесные свойства полупроводников, электрические и оптические свойства сегнетоэлектриков, а также оптические, упругие, пиро- и пьезоэлектрические свойства диэлектрических кристаллов, явление сверхпроводимости, ряд задач по физике жидкого гелия. задачи отражают современное состояние исследований в области физики твердого тела. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики твердого тела, а также преподавателей физических специальностей высших учебных заведений.

Обобщены результаты ведущихся в мире интенсивных исследований в области молекулярной электроники, рассмотрены основные физические свойства и электронное строение молекулярных материалов и углеродных наноструктур, основные принципы создания приборов молекулярной электроники. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям и специальностям в области техники и технологии при изучении дисциплин "Микроэлектроника", "Микро- и оптоэлектроника", "Наноэлектроника", "Физика полимеров и неупорядоченных диэлектриков", "Физика структур пониженной размерности", "Физика сенсорных материалов и устройств", и может быть также использовано аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники, материаловедения.

Монография посвящена сильно взаимодействующим электрон-фононным системам, в которых возникает большое количество принципиально новых эффектов. Особое внимание уделено таким явлениям, как спонтанное нарушение трансляционной симметрии системы и формирование фононного конденсата при образовании полярона сильной связи, распад фононного конденсата при фотодиссоциации такого полярона и его проявление в спектрах оптической проводимости и фотоэмиссионной спектроскопии. Проанализировано влияние пространственной дисперсии решеточной поляризуемости на движение полярона по кристаллу. Актуальность исследования сильно взаимодействующих электрон-фононных систем обусловлена необходимостью понимания экспериментально наблюдаемых свойств допированных сильнополярных диэлектриков, таких как купраты, демонстрирующие высокотемпературную сверхпроводимость. Для студентов, аспирантов и научных сотрудников, занимающихся исследованиями в области физики твердого тела, теоретической физики и нанотехнологий.

В книге кратко излагаются основы физики конденсированных сред, физики поверхности, являющейся одним из краеугольных камней столь модных сегодня нанотехнологий. При этом выдержан удачный баланс между экспериментом и теорией. Для теоретического объяснения экспериментальных данных широко использована квантовая физика. Четко прослежены общие свойства различных форм существования конденсированных сред. Обсуждаются переходные состояния между различными формами, а также основные физические законы, единые для всех форм вещества. Для студентов старших курсов университетов, а также аспирантов, молодых специалистов и инженеров.

В учебнике известного немецкого физика М. Грундмана излагаются как фундаментальные основы физики твердого тела, так и последние достижения в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Особое внимание уделяется оптоэлектронным и электромеханическим эффектам в сложных полупроводниковых структурах с микро- и наноразмерами функциональных элементов. Подробно рассматриваются приборные и схемотехнические реализации теоретических моделей. Изложены технические аспекты получения полупроводников и изготовления полупроводниковых структур. Во второе издание добавлены самые последние достижения в исследованиях органических и магнитных полупроводников, нанотехнологий, тонкопленочных транзисторов, прозрачных проводящих оксидов, новых типов солнечных батарей. Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

Книга посвящена физическим основам работы различных электронных приборов. После краткого исторического введения изложены основные сведения из атомной и молекулярной физики, теории кристаллов, полупроводников и диэлектриков. В весьма популярной форме, но достаточно строго трактуется физический смысл ряда сложных явлений и понятий современной физики (уравнение Шредингера, переходы между уровнями и т. д.). К числу рассмотренных электронных приборов относятся вакуумные лампы от триодов до СВЧ-устройств, газоразрядные приборы и полупроводниковые элементы. Отражены новые направления использования плазмы газового разряда—термоядерный синтез, магнитогидродинамические генераторы и электрические ракетные двигатели. В последней главе книги с позиций квантовой электроники описаны лазеры и мазеры. Книга может быть использована в качестве дополнительного пособия студентами физических и физико-технических факультетов университетов и втузов, она также представляет интерес для широкого круга читателей — инженеров и неспециалистов, которые хотят познакомиться с современным состоянием физики и практическими применениями, основанными на ее достижениях.

В настоящей книге кратко излагаются основные вопросы пробоя газов, твердых и жидких диэлектриков. книга является учебным пособием по ряду курсов в основном электротехнических и радиотехнических специальностей вузов. Книга также может быть полезна для работников вузов, НИИ и предприятий, занимающихся вопросами электроизоляции и создания микросхем.

В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.

Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.

Настоящая книга посвящена обнаружению и изучению нового эффекта — индуцированного дрейфа, вызванного действием периодических электрических и магнитных полей на структурированные растворы солей в жидких полярных диэлектриках. Она содержит информацию как экспериментального, так и теоретического характера. При этом основное внимание уделено объяснению явлений с физической точки зрения. Книга предназначена научным сотрудникам, инженерам, аспирантам и студентам, интересующимся данной тематикой.

Книга содержит доклады российских и зарубежных авторов, представленные на Седьмую международную конференцию по генерации мегагауссных магнитных полей и родственным экспериментам (Саров, 5-10 августа 1996 г.). Доклады отражают современное состояние исследований по экспериментальным методам получения сверхсильных магнитных полей, в том числе методом взрыва, созданию взрывных магнитокумулятивных генераторов электромагнитной энергии, лайнерным системам для термоядерного синтеза, сильноточным коммутаторам, применению сверхсильных магнитных полей и взрывных генераторов электромагнитной энергии в физике плазмы, физике твердого тела и других областях науки и техники. Представляет интерес для научных работников и инженеров, работающих в области импульсной энергетики и физики высоких плотностей энергии, и может быть использована в качестве пособия аспирантами и студентами старших курсов физических и физико-технических факультетов.