Современные требования к специалистам электронной промышленности многократно возрастают и требуют пересмотра учебных планов многих вузов. Авторы книги - авторитетные ученые, руководители НИИ, КБ, совмещающие научное руководство в области электроники с преподаванием основ этого предмета, предлагают читателю компактно изложенные лекции, подготовленные в стиле «приглашенного профессора». Сборник состоит из двух томов. В первом представлены электровакуумные и фотоэлектронные приборы, конденсаторы и резисторы, современные средства отображения информации, некоторые разделы квантовой и плазменной электроники. Второй том, посвященный твердотельной электронике, открывается Нобелевской лекцией академика Ж. И. Алферова. Книга адресована преподавателям вузов, специалистам в области электроники и студентам - будущим ученым, инженерам и руководителям отечественной электронной промышленности.

В книге популярно в форме вопросов и ответов объясняются физические основ электроники, электронные компоненты и схемы, особенности их применения. Удачно сочетается широта тематики - от дискретных полупроводниковых приборов до интегральных микросхем с простотой и наглядностью изложения материала.

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

В книге изложены избранные методы экспериментальной физики, созданные на основе вакуумных СВЧ-, газоразрядных лазеров и приборов отпаянного типа для защиты окружающей природной среды и человека: показана исключительная роль методологии разработки отпаянного прибора, когда эмиттирующий заряженные частицы источник (катод, электрод), размещенный внутри его полости, есть основной элемент единой замкнутой системы; приведены особенности использования такой системы в устройствах обеспечения жизнедеятельности и сохранения здоровья человека. Для бакалавров, магистров и аспирантов, научных работников и специалистов, работающих в сфере прикладной физики для техносферной безопасности.

В книге рассмотрены физические процессы и принципы конструирования газоразрядных приборов с холодным катодом. Первая часть книги посвящена элементарным процессам в газе, явлениям на электродах, механизму зажигания, процессам в таунсендовском и тлеющем разрядах. Во второй части разбираются принципы работы и вопросы конструирования газоразрядных приборов с холодным катодом: стабилизаторов, тиратронов тлеющего разряда, декатронов и счетчиков частиц. Приведены основные характеристики и схемы включения этих приборов.Книга представляет интерес для специалистов, работающих в области физики газового разряда, конструирования и применения газоразрядных приборов, а также может быть использована в качестве учебного пособия для студентов и аспирантов, специализирующихся в области электровакуумных приборов.

В книге дан анализ основного для всех электроннолучевых приборов процесса взаимодействия электронного луча с потенциальным рельефом на мишени и возникающего при этом электрического поля. Рассмотрение проблемы способствует созданию новых, более совершенных приборов и наиболее эффективной эксплуатации существующих. Книга предназначена для научно-технических работников, занимающихся разработкой, изготовлением и эксплуатацией электронно-лучевых приборов, а также может быть полезна студентам старших курсов вузов.

Изложены физические основы электронных и квантовых приборов СВЧ и квантовых приборов оптического диапазона, их основные характеристики и параметры, определяющие области применения этих приборов. Рассмотрены пролетные и отражательные клистроны, лампы бегущей и обратной волны, многорезонаторные магнетроны, квантовые парамагнитные усилители, оптические квантовые генераторы, квантовые стандарты частоты и другие приборы.

В учебнике изложены физические основы электронных СВЧ приборов и квантовых приборов СВЧ и оптического диапазона. Рассмотрены принципы действия, основные характеристики и параметры пролетных и отражательных клистронов, ламп с бегущей и обратной волной, приборов магнетронного типа, полупроводниковых СВЧ-приборов, квантовых парамагнитных усилителей (мазеров), квантовых стандартов частоты и лазеров. Учебник предназначен для студентов радиотехнических специальностей вузов.

В справочнике приведены сведения о более 5000 тыс. зарубежных и отечественных полупроводниковых приборах, выпускаемых в настоящее время и выпущенных за последние 20 лет (диодах, стабилитронах и стабисторах, диодах СВЧ, варикапах, тиристорах, оптронах, фотодиодах и магнитодиодах), и приведены аналоги для их замены. Основные параметры приведены в форме таблиц. В каждой таблице предусмотрена возможность добавления новых п/п приборов. В справочнике приведены графические изображения корпусов и основные размеры. Справочник рассчитан на широкий круг радиолюбителей, занимающихся ремонтом и сборкой радиоэлектронной аппаратуры.

Излагаются основные идеи электроники СВЧ и их современное теоретическое и техническое воплощение. Рассматриваются принципы действия электронных приборов СВЧ, области применения и основные тенденции их развития. С единой точки зрения в рамках линейной самосогласованности и приближенной нелинейной теории проводится достаточно подробный анализ уравнений поля и движения, находятся способы их решения. Анализируются процессы взаимодействия электронов с сверхвысокочастотными полями в лампах бегущей и обратной волны, прямопролетных и отражательных клистронах, в магнетронных усилителях и генераторах, мазерах на циклотронном резонансе, системах с центробежной электростатической фокусировкой, плазменных системах и других приборах. Значительная часть монографии основана на оригинальных работах авторов. Приводятся формулы, графики и порядок величин параметров. Кратко описывается конструкция приборов. Книга предназначается для специалистов, работающих в различных областях физики, электроники и радиотехники, желающих ознакомиться с быстро развивающейся областью техники, а также для студентов, аспирантов, научных работников соответствующих специальностей, желающих углубить свои знания в области физики явлений, происходящих в приборах СВЧ.

Приведены сведения о параметрах, типовых режимах и условиях эксплуатации наиболее распространенных ионных приборов отечественного производства. Кратко описаны принципы работы и конструкция каждого помещенного класса приборов. Предназначен для инженеров, техников и специалистов, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом аппаратуры, работающей на ионных приборах, а также может быть полезен радиолюбителям, светотехникам, медицинским техническим работникам и студентам соответствующих специальностей.

Настоящий аннотированный библиографический указатель включает работы сотрудников ИРЭ АН УССР в области физики и техники миллиметровых и субмиллиметровых волн. Комплексные исследования и разработки в указанной области для ИРЭ АН УССР являются традиционными и выполняются в течение длительного времени. Обилие материала привело к необходимости ограничиться лишь наиболее современными публикациями. Поэтому указатель содержит ссылки на монографии, статьи, доклады на конференциях и симпозиумах, препринты и авторские свидетельства лишь за период с 1968 г. по 1978 г.Для удобства пользования указателем весь материал разбит на пять глав: "Дифракционная электроника", "Электронные вакуумные приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов", "Твердотельные электронные приборы и приборы квантовой электроники", "Линии передачи, измерительные приборы, радиоэлектронные системы, методы измерений", "Теоретические и экспериментальные методы исследования дифракции и распространения волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов".

Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур.

В книге рассмотрена феноменология электрофизических процессов электронной эмиссии и эмиссии атомных частиц, а также количественные закономерности основных и сопряженных разделов твердотельной и плазменной эмиссионной электроники, необходимые для инженерного анализа и разработок источников электронных и ионных потоков в газовых средах и в вакуумных условиях. Анализируются принципиальные и схемо-технические решения плазменных источников электронных и ионных пучков с элементами электронной и ионной оптики. Книга может быть полезна для инженеров, студентов и аспирантов, специализирующихся в области концептуального и рабочего проектирования устройств и систем эмиссионной и вакуумной электроники высокой плотности мощности различного назначения.

В книге излагается теория поверхностной ионизации с образованием положительных и отрицательных атомных ионов и ионов химических соединений, а также экспериментальные исследования основных закономерностей явления на металлических и полупроводниковых эмиттерах; рассматриваются примеры применения явления в практике физико-химических исследований и в технической электронике.Теоретическое рассмотрение закономерностей поверхностной ионизации проведено на основе представлений классической термодинамики и статистики. Особое внимание уделено рассмотрению общих закономерностей эмиссии с неоднородных эмиттеров.

Описаны самые современные измерительные приборы: измерители R, С и L, мультиметры, измерительные ВЧ- и НЧ-генераторы, импульсные и функциональные генераторы, аналоговые и цифровые стационарные и портативные осциллографы, в том числе уникальные. Особое внимание уделено массовым дешевым (бюджетным) приборам и технике измерений, в том числе с применением виртуальных и компьютеризированных лабораторий, и их применению в практике электронных измерений. Ряд материалов посвящен работе с современными цифровыми осциллографами и функциональными генераторами. Рассмотрена современная элементная база и схемотехника измерительных устройств. В книге около шестисот иллюстраций и осциллограмм. Для работников служб ремонта и сервиса сложной электронной техники, научных работников и инженеров, студентов, аспирантов, преподавателей и лаборантов вузов и университетов, а также для подготовленных радиолюбителей.

Эффективность науки в значительной мере зависит от технического уровня приборов и оборудования для научных исследований, т. е. от их точности, быстродействия, соответствия целям и задачам научного эксперимента. Повышение технического уровня проведения научных экспериментов требует непрерывного совершенствования приборов по основным направлениям научных исследований: формирование магнитных, электрических, тепловых и других полей с заданной пространственной конфигурацией или однородностью; процессы и устройства транспортирования и формирования потоков частиц и веществ; развитие теории и методов создания датчиков с высокой чувствительностью и селективностью; математическое моделирование приборов; оптимизация структуры и функциональных элементов приборов; автоматизация приборов.Процесс усовершенствования приборов требует обобщения накопленного опыта и обмена информацией. Настоящий аннотированный текущий указатель изобретений (4 выпуска в год) предназначен для широкого круга ученых и специалистов, занимающихся разработкой и эксплуатацией приборов для научных исследований.Указатель составлен на основе просмотра бюллетения "Изобретения в СССР и за рубежом" и включает изобретения по шести ведущим странам: СССР, Великобритании, США, Франции, ФРГ и Японии - за соответствующие кварталы предыдущего года.Каждый выпуск имеет вспомогательные указатели: нумерационный указатель авторских свидетельств и патентов и указатель оганизаций и фирм-заявителей.