| 221 |
|
Ультрафиолетовые и вакуумно-ультрафиолетовые эксилампы: Физика, техника, применение / А. М. Бойченко [и др.]; Институт сильноточной электроники СО РАН, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск: STT, 2011. — 512 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-93629-433-4: 1740.00 р.
В монографии отражен опыт исследования, создания, моделирования и применения современного класса газоразрядных источников спонтанного излучения - эксимерных и эксиплексных ламп (эксиламп). Описаны физические процессы формирования излучения в эксилампах и техника возбуждения эксиламп. Книга адресована научным работникам, инженерам, изучающим и конструирующим источники излучения, а также может использоваться студентами университетов в учебных курсах по специальностям "Светотехника и источники света" (180600) и "Оптико-электронные приборы и системы" (190700).
|
| 222 |
|
Источники электропитания высокого напряжения РЭА: монография / В. Г. Костиков, И. Е. Никитин. — М.: Радио и связь, 1986. — 200 с.: ил. — Библиогр.: с. 195-199. — 0.75 р.
|
| 223 |
|
Схемотехника функциональных узлов источников вторичного электропитания: справочник / Б.С. Сергеев. — М.: Радио и связь, 1992. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 215-224. — ISBN 5-256-00433-6: 0.80 р.
Обобщены современные схемотехнические решения функциональных узлов импульсных транзисторных преобразователей постоянного напряжения, используемых в источниках вторичного электропитания (ИВЭП) радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются структурные схемы ИВЭП на основе транзисторных преобразователей, в том числе и бестрансформаторные с питанием от сети, различные виды силовых каскадов, устройства электрической изоляции, схемы сравнения, схемы повышения помехоустойчивости и защиты. Описываются новейшие разработки советских и зарубежных специалистов. Для инженерно-технических работников и радиолюбителей.
|
| 224 |
|
Техника оптической спектроскопии: учеб. пособие / В. В. Лебедева. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Издательство Московского университета, 1986. — 351, [1] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 338-343. — Предм. указ.: с. 344-352. — 1.00 р.
|
| 225 |
|
Галогенные лампы накаливания: монография / С. М. Вугман, В. И. Волков. — М.: Энергия, 1980. — 136 с.: ил. — (Библиотека светотехника). — Библиогр.: с. 130-135. — 0.40 р.
|
| 226 |
|
Импульсные источники света: монография / И. С. Маршак. — М.; Л.: Государственное энергетическое издательство, 1963. — 336 с.: ил. — Библиогр.: с. 316-336. — 1.13 р.
В книге рассматриваются вопросы физической теории импульсного разряда, излучения импульсного разряда, основные параметры и конструктивные особенности импульсных гаоразрядных источников света, нашедших широкое применение в электронике и автоматике, средствах оптической связи, фотографии и кинематографии, полиграфии и т. д., приводятся типичные схемы включения импульсных источников света.Книга рассчитана на инженеров-светотехников, а также инженеров, работающих в названных выше отраслях техники.
|
| 227 |
|
Вторичные источники тока: переводное издание / Т. Кромптон ; пер. с англ. А. Г. Колесникова, Р. П. Соболева, под ред. Ю. А. Мазитова. — М.: Мир, 1985. — 301 с.: ил. — Указ. терминов: с. 278-280. — Предм. указ.: с. 294-299. — 2.90 р.
|
| 228 |
|
Ускорители в неразрушающем контроле: монография / В. П. Ковалев. — М.: Энергоатомиздат, 1983. — 102 с.: ил. — Библиогр.: с. 100-101. — 0.40 р.
|
| 229 |
|
Источники низкоэнергетического излучения в неразрушающем контроле: монография / С. В. Румянцев, Е. Е. Кулиш, О. И. Борисов. — М.: Атомиздат, 1976. — 128 с.: ил. — Библиогр.: с. 125-126. — 0.85 р.
|
| 230 |
|
Современные аспекты применения бетавольтаического эффекта: монография / Ю. С. Нагорнов; Ульян. гос. пед. ун-т им. И. Н. Ульянова. — Ульяновск: УлГПУ, 2012. — 113 с.: ил.; 20 см. — Библиогр.: с. 104-113. — ISBN 978-5-86045-493-4: 90.00 р.
В монографии приведены последние данные по созданию радиационно-стимулированных источников энергии с использованием различных изотопов. Приводятся экспериментальные данные по физическому моделированию бетавольтаического эффекта на электронном микроскопе, которые позволили построить и верифицировать модель источника тока. Приведены авторские экспериментальные и численные результаты исследования бетавольтаического эффекта с использованием изотопа 63Ni на p-n структурах, сформированных на моно- и микроканальном кремнии. В работе впервые описывается эффект влияния зарядки на процесс генерации носителей тока.
|