| 1 |
|
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / под ред. К. А. Джексона, В. Шретера ; пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. — Воронеж; : Водолей , Б.г.
Т. 1 : Электронная структура и свойства полупроводников. — , 2004. — 982 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 931-967. — ISBN 5-88563-041-0: 100.00 р.
|
| 2 |
|
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках: монография / Рос. АН, Физико-технический ин-т им. А. А. Иоффе; Л. П. Казакова [и др.] ; отв. ред. К. Д. Цэндин. — СПб.: Наука, 1996. — 486 с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 469-472. — ISBN 5-02-024812-6: 31000.00 р. |
| 3 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 23 :. — , 1981. — 155 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30 р.
|
| 4 |
|
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия: сборник / под ред.: Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски, пер. с англ. К. В. Юдинцева, под ред.: В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. — Москва: Техносфера, 2011. — 383 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-293-9: 840.00 р.
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
|
| 5 |
|
Amorphous and polycrystalline thin-films silicon science and technology-2011 (April 25-29, 2011 ; San Francisco, California): Symposium Proceedings / Materials Research Society; eds.: B. Yan [et al.]. — Cambridge; New York; Melbourne; Warrendale: Cambridge University Press: MRS, 2012. — XVI,466 p.: ill.; 23 cm. — (Materials Research Society. Symposium Proceedings). — Bibliogr. at the end of the art. — ISBN 978-1-60511-298-5: 672.00 р. |
| 6 |
|
Кремний-2002: Совещ. по росту кристаллов, пленок, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г. : тез. докл. — Новосибирск: ИФП СО РАН, 2002. — 215 с.: ил. |
| 7 |
|
Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для вузов / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: МИСИС, 2003. — 480 с.: ил. — Предм. указ.: с. 475-480. — ISBN 5-87623-018-7: 745.00 р.
|
| 8 |
|
Фотоэлектрические явления: переводное издание / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман ; пер. с нем. А. Н. Темчина, под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. — М.: Мир, 1980. — 208 с.: ил. — Библиогр.: с. 199-206. — 0.80 р.
|
| 9 |
|
Диэлектрики в наноэлектронике / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, рец.: В. Н. Овсюк, О. П. Пчеляков; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. — 257 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1081-5: 5.00 р.
Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.
|
| 10 |
|
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|