| 11 |
|
Введение в физику сегнетоэлектрических явлений: переводное издание / Дж. Барфут ; пер. с англ. Н. Р. Иванова, под ред. Л. А. Шувалова. — М.: Мир, 1970. — 352 с.: ил. — Библиогр.: с. 344-349. — 2.00 р.
|
| 12 |
|
Физико-химические аспекты наночастиц и наноструктурированных материалов: [учебное пособие для вузов по направлению подготовки магистров "Техническая физика"] / Т. В. Бочарова, Т. Л. Макарова ; рец.: Ю. А. Быстров, В. Э. Гасумянц; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического ун-та, 2010. — 220 с.: ил.; 21 см. — (Приоритетные национальные проекты). — Библиогр.: с. 219-220. — ISBN 978-5-7422-2974-2: 265.10 р.
Излагаются особенности термодинамических свойств, химической кинетики и термодинамики поверхностных явлений наночастиц и наноструктурированных материалов, обобщены современные представления об электрических, механических, оптических и химических свойствах различных композиционных материалов. Большое внимание уделяется относительной роли химических связей и взаимодействия применительно к нанообъектам. Проводится сравнительный анализ кристаллических структур микро- и наноматериалов. Предлагаются методики оценок влияния структурных особенностей нанообъектов на их свойства. Излагается инновационный подход к описанию особых физических и химических свойств наночастиц и наноструктурированных материалов. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по магистерской программе "Физика нанотехнолоий и наноразмерных структур" направления подготовки магистров "Техническая физика" при изучении дисциплин "Физик0-химические аспекты наноструктурированных материалов", "Специальные вопросы физики твердого тела". Пособие может быть также использовано при обучении в системах повышения квалификации, в учреждениях дополнительного профессионального образования и пр.
|
| 13 |
|
Диэлектрики в наноэлектронике / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, рец.: В. Н. Овсюк, О. П. Пчеляков; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. — 257 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1081-5: 5.00 р.
Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.
|
| 14 |
|
Математическая многоуровневая модель упругопластического деформирования структурно-неоднородных сред: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07, 01.02.04 / П. В. Макаров ; оппоненты: В. М. Фомин, А. Д. Коротаев, А. Ф. Ревуженко; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), кафедра проектирования и прочности, Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики при Томском госуниверситете (Томск), Научно-исследовательский институт математики и механики при Санкт-Петербургском госуниверситете (СПб.). — Томск, 1995. — 30 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 27-30.
|
| 15 |
|
Атомная структура межзеренных границ: Сборник статей / пер.с англ.: В. Н. Перевезенцева, В. В. Рыбина, редакция пер. и вступ. ст. А. Н. Орлова. — М.: Мир, 1978. — [291] с.: граф. — (Новости физики твердого тела). — Библиогр. в конце ст. — 2.20 р.
Книга представляет собой сборник статей, посвященных последним достижениям в области исследования межзеренных границ, атомной структурой которых определяются многие механические свойства поликристаллических материалов. Книга рассчитана на специалистов по физике твердого тела, занимающихся исследованиями и применениями поликристаллов, а также на аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 16 |
|
Кристаллическая структура, динамика решетки и ионный перенос в суперионных проводниках на основе халькогенидов меди и серебра: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. Н. Биккулова ; науч. конс. Р. А. Якшибаев, оппоненты: А. Я. Тарасов, О. А. Скалдин, В. А. Гордеев; Башкирский Государственный университет (Уфа), каф. общей физики, Уральский государственный университет им. А. М. Горького (Екатеринбург), Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН (Уфа). — Уфа, 2005. — 47 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 41-47.
|
| 17 |
|
Процессы структурного разрушения зернистых композитов на стадии деформационного разупрочнения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.04 / А. В. Зайцев ; науч. рук.: Ю. В. Соколкин, В. Э. Вильдеман, оппоненты: П. В. Трусов, С. В. Мельников; Пермский государственный технический университет (Пермь), каф. композиционных материалов и конструкций, Уральский государственный технический университет (Екатеринбург), Институт механики сплошных сред УрО РАН (Пермь). — Пермь, 1999. — 16 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 18 |
|
Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. П. Данилов ; офиц. оппоненты: В. В. Михайлин, В. А. Смирнов, И. Л. Броневой; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1997. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.
|
| 19 |
|
Магнитные материалы для радиоэлектроники: сб. статей / АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт физики им. Л. В. Киренского; отв. ред. В. А. Игнатченко, Г. И. Фролов. — Красноярск: Институт физики, 1982. — 219 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.75 р. |
| 20 |
|
Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.
|