| 1121 |
|
Формирующие устройства сильноточных ускорителей электронов и генераторы импульсных магнитных полей для релятивистской высокочастотной электроники: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Б. З. Мовшевич ; науч. рук. Г. А. Месяц, офиц. оппоненты: В. В. Кремнев, А. Г. Жерлицын; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт прикладной физики АН СССР (Горький), Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.). — Томск, 1988. — 21 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 18-21.
|
| 1122 |
|
Связь диэлектрических свойств алюмонитридной керамики и пиронитрида бора с их структурой: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / А. В. Кабышев ; науч. рук.: В. Я. Ушаков, В. В. Лопатин, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, А. В. Петров; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Институт проблем материаловедения АН Украинской ССР (Киев). — Томск, 1988. — 18 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 15-18.
|
| 1123 |
|
Разработка лаковых композиций для электроизоляционных, допускающих пайку, покрытий печатных плат : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / Ю. Д. Клейман ; науч. рук. Я. З. Месенжник, науч. конс. В. Р. Мустафин, офиц. оппоненты: С. Д. Холодный, А. Н. Дудкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Ташкентский политехнический институт им. Абу Райхана Беруни (Ташкент), Всесоюзный научно-исследовательский институт электромеханики (М.). — Томск, 1989. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 1124 |
|
Модификация твердосплавного волочильного инструмента с целью повышения его работоспособности и улучшения качества эмалированных проводов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / И. В. Кокарева ; науч. рук. Ю. П. Похолков, офиц. оппоненты: С. Н. Койков, Ю. И. Линин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Московский кабельный завод (М.). — Томск, 1989. — 16 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 1125 |
|
Высоковольтный объемный резистор с силикатными компонентами: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Г. В. Шувалов ; науч. рук. Р. В. Манчук, науч. конс. В. П. Горелов, офиц. оппоненты: Ю. В. Зайцев, Ю. И. Кузнецов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Сибирский научно-исследовательский институт энергетики (Новосибирск), Новосибирский институт инженеров водного транспорта (Новосибирск), Всесоюзное научно-производственное объединение "Энерготехпром" (М.). — Томск, 1990. — 18 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 1126 |
|
Разработка элементов конструкции и способа тренировки вакуумных изоляторов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Г. П. Кокаревич ; науч. рук. И. И. Каляцкий, офиц. оппоненты: В. В. Кремнев, В. И. Цветков; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Минусинский филиал Всесоюзного электротехнического института им. В. И. Ленина (Минусинск). — Томск, 1989. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 1127 |
|
Полупроводниковая схемотехника : [в 2 т.]: пер. с нем. / У. Титце, К. Шенк. — М.; : ДМК Пресс , Б.г.
Т. 1 :. — , 2008. — 832 с.: ил., граф. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94120-200-3: 723.10 р.
Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.
|
| 1128 |
|
Перенапряжения при коммутациях в схемах СТК электропередачи 1150 кВ и их ограничение: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Т. М. Лазимов ; науч. рук. Г. А. Миронов, офиц. оппоненты: И. И. Каляцкий, М. И. Хорошев; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Азербайджанский научно-исследовательский институт энергетики им. И. Г. Есьмана, Всесоюзный государственный проектно-изыскательский и научно-исследовательский институт Энергосетьпроект (М.). — Томск, 1989. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 1129 |
|
Электро-теплофизические характеристики полимерной изоляции кабелей и проводов для нефтегазовой промышленности: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / Л. Я. Прут ; науч. рук.: Б. М. Тареев, Я. З. Месенжник, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, В. Г. Сотников; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Всесоюзный научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический институт кабельной промышленности, Подольский кабельный завод им. К. Готвальда (Подольск). — Томск, 1990. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-17.
|
| 1130 |
|
Создание мощных импульсных генераторов и защитных устройств с разрядниками атмосферного давления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / А. А. Новиков ; науч. рук. В. В. Кремнев, офиц. оппоненты: И. И. Каляцкий, В. Н. Сафронов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Московский радиотехнический институт АН СССР (М.). — Томск, 1990. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 16-19.
|