Формирование кристаллических фаз в оксидах алюминия и циркония в постоянном магнитном поле при спекании компактированных порошков: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. П. Клишин ; науч. рук. С. А. Гынгазов, офиц. оппоненты : А. А. Клопотов, В. Е. Громов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т. — Томск, 2021. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.

Синтез люминесцирующей MgF2:W и YAG:Ce керамики в поле радиации: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. А. Мусаханов ; науч. рук. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : А. И. Непомнящих, Н. Н. Коваль; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т. — Томск, 2021. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Теоретическое исследование автоэлектронной эмиссии из сверхпроводящих материалов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.13 / И. В. Уйманов ; науч. рук. Е. А. Литвинов, офиц. оппоненты: М. В. Медведев, Ю. Д. Панов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Башкирский государственный университет (Уфа). — Екатеринбург, 2001. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Разработка и исследование пучково-плазменных методов повышения эксплуатационных свойств изделий из металлических материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / К. Уемура; Нац. исслед. Том. политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 26 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Разработка ионно-пучковых методов модификации свойств алюминиевых сплавов на основе использования радиационно-динамических эффектов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. М. Можаровский ; науч. конс. В. В. Овчинников, оппоненты: Ю. П. Шаркеев, В. П. Кривобоков, А. В. Козлов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2011. — 39 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-39.

Разработка плазменных технологий и оборудования для осаждения тонкопленочных теплоотражающих покрытий: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. Д. Баинов ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : С. В. Смирнов, В. Ф. Пичугин; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Научно-производственный центр "Полюс". — Томск, 2013. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Получение наноразмерного диоксида кремния плазменно-дуговым методом из высококремнеземистого природного сырья: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Космачев ; науч. рук. В. А. Власов, офиц. оппоненты : А. В. Номоев, В. Е. Овчаренко; Томский гос. архитектурно-строительный ун-т, Ин-т теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН. — Томск, 2018. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Научные основы создания и регулирования резистивных свойств высоконаполненных эластомеров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. Н. Минакова ; науч. конс. В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, К. П. Арефьев, В. Э. Борзых; Томский политехнический университет (Томск), Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Томск, 2001. — 45 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-45.

Макроскопические свойства композиционных сред на основе магнитных коллоидов, определяемые процессами микромасштабного структурообразования: автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. Р. Закинян ; науч. конс. Ю. И. Диканский, офиц. оппоненты : М. С. Краков, В. В. Соколов, Е. А. Елфимова ; Северо-Кавказский федеральный ун-т, Московский гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. — Ставрополь, 2019. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-38.