Эффективность науки в значительной мере зависит от технического уровня приборов и оборудования для научных исследований, т. е. от их точности, быстродействия, соответствия целям и задачам научного эксперимента. Повышение технического уровня проведения научных экспериментов требует непрерывного совершенствования приборов по основным направлениям научных исследований: формирование магнитных, электрических, тепловых и других полей с заданной пространственной конфигурацией или однородностью; процессы и устройства транспортирования и формирования потоков частиц и веществ; развитие теории и методов создания датчиков с высокой чувствительностью и селективностью; математическое моделирование приборов; оптимизация структуры и функциональных элементов приборов; автоматизация приборов.Процесс усовершенствования приборов требует обобщения накопленного опыта и обмена информацией. Настоящий аннотированный текущий указатель изобретений (4 выпуска в год) предназначен для широкого круга ученых и специалистов, занимающихся разработкой и эксплуатацией приборов для научных исследований.Указатель составлен на основе просмотра бюллетения "Изобретения в СССР и за рубежом" и включает изобретения по шести ведущим странам: СССР, Великобритании, США, Франции, ФРГ и Японии - за соответствующие кварталы предыдущего года.Каждый выпуск имеет вспомогательные указатели: нумерационный указатель авторских свидетельств и патентов и указатель оганизаций и фирм-заявителей.

Эффективность науки в значительной мере зависит от технического уровня приборов и оборудования для научных исследований, т. е. от их точности, быстродействия, соответствия целям и задачам научного эксперимента. Повышение технического уровня проведения научных экспериментов требует непрерывного совершенствования приборов по основным направлениям научных исследований: формирование магнитных, электрических, тепловых и других полей с заданной пространственной конфигурацией или однородностью; процессы и устройства транспортирования и формирования потоков частиц и веществ; развитие теории и методов создания датчиков с высокой чувствительностью и селективностью; математическое моделирование приборов; оптимизация структуры и функциональных элементов приборов; автоматизация приборов.Процесс усовершенствования приборов требует обобщения накопленного опыта и обмена информацией. Настоящий аннотированный текущий указатель изобретений (4 выпуска в год) предназначен для широкого круга ученых и специалистов, занимающихся разработкой и эксплуатацией приборов для научных исследований.Указатель составлен на основе просмотра бюллетения "Изобретения в СССР и за рубежом" и включает изобретения по шести ведущим странам: СССР, Великобритании, США, Франции, ФРГ и Японии - за соответствующие кварталы предыдущего года.Каждый выпуск имеет вспомогательные указатели: нумерационный указатель авторских свидетельств и патентов и указатель оганизаций и фирм-заявителей.

В книге рассматривается нелинейное взаимодействие пучков заряженных частиц и медленных электромагнитных волн. Это взаимодействие положено в основу работы широкого класса СВЧ приборов. Анализ не ограничивается конкретным типом замедляющией структуры, а включает в себя как системы, основанные на замедляющих структурах обычного типа (спираль, диафрагмированный волновод и т. п.), так и, например, плазменные замедляющие структуры.В первых четырех главах изложен общий метод анализа, в последующих главах даются конкретные приложения к приборам различного типа. Общее решение сложных нелинейных проблем проводится на основе техники ЭВМ, однако для построения четкой физической картины проводится детальный анализ и изучение решений, полученных на ЭВМ, сопоставление машинных результатов с результатами, получеными путем экстраполяции линейной теории.Книга представляет большой практический интерес для разработчиков СВЧ приборов, а также в качестве учебного пособия для аспирантов по курсу нелинейной теории СВЧ приборов.

В книге излагаются методы расчета и анализа СВЧ усилителей со скрещенными полями (типа М). Рассматриваются лучевые усилители (с вынесенной из пространства взаимодействия электронно-оптической системой) и амплитроны - усилители с катодом в пространстве взаимодействия. Кроме общей теории взаимодействия электронного потока с замедленной электромагнитной волной в режиме больших сигналов уделено значительное внимание исследованию новых схем и различных режимов работы лучевых приборов. В разделе, посвященном амплитрону, дается анализ основных электрических характеристик, а также расчет выходных параметров усилителя.Книга предназначается для инженеров и научных сотрудников, работающих в области электроники СВЧ и радиофизики, а также для преподавателей и студентов высших учебных заведений. Она может быть использована в качестве учебного пособия для курсового и дипломного проектирования.

Рекомендовано к изданию Научно-техническим советом Всероссийского электротехнического института (ВЭИ - филиал Федерального государственного унитарного предприятия "Российский Федеральный Ядерный Центр - ВНИИТФ").Автор - Завьялов Михаил Александрович, доктор технических наук, профессор, почетный работник науки и техники Российской Федерации, действительный член Академии электротехнических наук РФ. Область научных интересов - физика пучков заряженных частиц, физика плазмы, вакуумная и плазменная электроника.

В учебнике в сжатой форме излагаются основной математический аппарат формализма квантовой теории, вопросы когерентности, интерференции и поляризации вынужденного излучения. Рассматриваются принцип действия, характеристики и основные процессы в квантовых приборах. Приводятся методики инженерного расчета элементов схем и конструкции различных лазеров, усилителей и устройств управления лазерным излучением.Помещен обширный материал по применению квантовых приборов в системах измерения углов, скоростей и расстояний, а также в голографии и лазерной интерферометрии, когерентной и интегральной оптике.Для студентов высших технических учебных заведений.

В сборнике представлено более 250 тезисов докладов из 63 учреждений, 14 стран по всему миру.

В сборнике "Уральское отделение РАН - городам Урала" Вашему вниманию предлагаются перспективные, нужные потребителю и готовые к применению или тиражированию разработки УрО РАН.Публикация сборника, приуроченная к 70-летнему юбилею академической науки на Урале, должна способствовать координации инновационной деятельности академических институтов, содействовать сотрудничеству с вузами и отраслевыми НИИ, предприятиями, помочь институтам в продвижении прикладных разработок (придания им коммерческой привлекательности), практическом использовании объектов интеллектуальной собственности.

В доступной форме изложены принципы действия, параметры и характеристики приборов, применяемых в оптоэлектронике - одном из перспективных направлений электронной техники. Приведены схемы включения приборов, области их применения.Книга рассчитана на широкий круг читателей, интересующихся всем новым в электронике.

В книге рассмотрены особенности применения и методы нанесения тонких пленок при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Описаны принципы действия современных технологических вакуумных установок с термическими испарительными и ионными распылительными системами. Приведены сведения по их эксплуатации, вакуумной технике, электронно-вакуумной гигиене и технике безопасности.

Сборник содержит материалы тезисов докладов, посвященных достижениям в фотонике, электронике, нелинейной оптике и квантовых технологиях на основе современных и перспективных материалов. Круг рассматриваемых вопросов простирается от синтеза оптических и полупроводниковых материалов до создания оптоэлектронных и полупроводниковых приборов и систем.

В книге рассмотрены физические основы процесса пайки и особенности получения вакуумноплотных паяных соединений, металлов в электровакуумных приборах, применяемые для этой цели припои, а также вопросы конструирования вакуумноплотных деталей и узлов. Приведены сведения об используемых защитно-восстановительных средах и методах контроля паяных соединений, а также сведения по конструированию оснастки для высокотемпературной пайки. Даны таблицы размеров и весов нормализованных колец припоя.Книга предназначена для широких кругов инженерно-технических работников, занимающихся конструированием и производством вакуумноплотных паяных соединений, а также может быть полезной для студентов соответствующих специальностей.

В книге рассматриваются основные положения теории и практики радиотехнических измерений. Дается анализ методов измерения радиотехнических величин в различных диапазонах волн. По отдельным наиболее распространенным и перспективным измерительным приборам приводятся описание принципа действия, технические данные, соображения по выбору основных элементов схем и конструкций.По сравнению с прошлыми изданиями книг авторов по основам радиоизмерений в настоящей книге существенно изменены структура и содержание многих разделов. Введены две новые части, посвященные общим вопросам радиотехнических измерений, элементам оценки правильности применения и эксплуатации измерительных приборов, роли и значению метрологии. Заново представлены разделы, посвященные анализу погрешностей измерения, измерениям характеристик случайных процессов, рассмотрению методов измерений и измерительным приборам в миллиметровом, субмиллиметровом и оптическом диапазонах длин волн. Уделено значительное внимание вопросам автоматизации измерений, миниатюризации измерительных средств, конструкции измерительных приборов на основе широкого использования полупроводниковой техники.Книга рассчитана на инженерно-технический персонал, занимающийся производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры, применением и обслуживанием измерительных средств; она может служить также учебным пособием для студентов вузов.

Рассматриваются возможности и особенности применения полупроводниковых четырехслойных приборов (диодных, триодных, в том числе запираемых по входу тиристоров и фототиристоров) в качестве ключевых элементов радиоэлектронных устройств. Дается физический анализ ключевых свойств тиристорного ключа, определяются режимы и предлагаются методы и схемы автоматизированного измерения основных параметров. Анализируются типовые цели отпирания, запирания и выключения тиристоров. Излагается теория и расчет тиристорных схем формирования, счета и распределения импульсов во времени и даются примеры их практического использования в конкретных радиоэлектронных устройствах. Оцениваются перспективы применения тиристоров специальных типов в ключевых и логических схемах.Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся как разработкой элементов систем управления, автоматики, телеметрии с использованием тиристоров, так и созданием полупроводниковых приборов на основе четырехслойной структуры. Книга также может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области радиоэлектроники.

Основное свойство "интеллектуальных" материалов и изделий состоит в способности реагировать на изменение внешних условий и условий эксплуатации. Они могут также ремонтировать себя или изменять свои функциональные характеристики. В книге описаны системы волоконно-оптических датчиков, которые могут измерять деформацию, температуру и механическое напряжение. Обсуждаются способы реагирования интеллектуальных конструкций на возникающие резонансные колебания. Описаны сплавы, обладающие эффектом памяти формы, а также пьезокерамики, широко используемые в качестве датчиков в рассматриваемых структурах. Даны примеры применения магнитострикционных материалов в качестве активных приводов, реагирующих на изменение внешних условий. Описаны жидкостные интеллектуальные системы, способные изменять свое движение под действием электрического сигнала и вызывать появление реальных сил и смещений. Рассмотрены биоимплантанты и живые организмы, изучение которых облегчает разработку принципов работы новых интеллектуальных структур.

Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур.

В монографии рассматриваются теоретические основы, методика и практика применения метода рентгеновской топографии на основе эффекта Бормана (РТБ). Приводятся методика и результаты моделирования теоретического контраста от основных типов дефектов в монокристаллических материалах в методе РТБ и его сопоставление с экспериментальным контрастом. Предложены методы цифровой обработки изображений, позволившие устранить слабый контраст и фоновую неоднородность топограмм и фотонегативов, влияние зернистости фотоэмульсии, представить изображение дефектов в виде, более удобном для анализа и идентификации дефектов. Для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов, специализирующихся в области материаловедения, кристаллофизики и технологии материалов электронной техники.