В книге рассмотрены физические процессы, вызывающие внутреннее трение в полупроводниках. Описаны конструкции установок, методы исследования внутреннего трения и их результаты для кремния, германия, арсенида галлия, сернистого цинка. Приведены данные о частотной, температурной и амплитудной зависимости внутреннего трения. На их основе вычисляются энергии активации образования и перемещения вакансий и дислокация, диффузии примесей, примесных и вакансионных комплексов, которые обсуждаются в соответствии с современными представлениями о дефектах в полупроводниках.Монография предназначена для научных сотрудников и научно-технических работников по физике полупроводников, полупроводниковой электронике, материаловедению, акустоэлектронике и может быть использована студентами и аспирантами соответствующих специальностей.

Первый учебник по фотонике, подготовленный совместно российским и американским профессорами. Книга посвящена одному из наиболее перспективных направлений в информатике. Читатель получит физическое обоснование возможности и целесообразности замены в ряде задач информатики электрического тока потоком когерентных фотонов. В книге содержится весь необходимый материал, тем не менее, она снабжена обширной библиографией, которую можно использовать для углубленного изучения отдельных разделов. В основу учебника положены лекционные курсы по информатике, квантовой электронике и фотонике, которые авторы читают студентам Пенсильванского университета и Государственного университета — МИФИ. Для преподавателей и студентов физических специальностей (фотоника, квантовая электроника) высших учебных заведений.