| 401 |
|
Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 402 |
|
Высокотемпературные сверхпроводники и мощные импульсные токи: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. Н. Паранин ; науч. рук.: Ю. А. Котов, В. В. Иванов, офиц. оппоненты: А. В. Лучинский, О. Л. Хасанов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт физики металлов УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1993. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 403 |
|
Структурные изменения в металлических материалах в условиях адгезионного трения: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.02.01 / С. Ю. Тарасов ; научный консультант А. В. Колубаев, оппонент В. А. Батаев, оппонент Д. Л. Мерсон; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова (Барнаул). — Томск, 2008. — 31 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-31.
|
| 404 |
|
Исследование экранирующих свойств кабельных изделий и разработка комплекса средств для измерения характеристик эффективности экранирования радиочастотных кабелей: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / Н. А. Шишенков ; науч. рук. Г. Г. Константинов, офиц. оппоненты: В. К. Жуков, В. М. Аникиенко; Иркутский государственный технический университет (Иркутск), ВС НИИФТРИ, Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 1996. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-16.
|
| 405 |
|
Получение наноструктурных керамик с использованием магнито-импульсного прессования порошков: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13, 01.04.14 / В. В. Иванов ; офиц. оппоненты: В. П. Скрипов, Г. Г. Талуц, В. Ф. Петрунин; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Объединенный институт высоких температур РАН (М.), Научно-исследовательский центр теплофизики импульсных воздействий (М.). — Екатеринбург, 1998. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-40.
|
| 406 |
|
Синтез кластерных структур резонансным лазерным излучением при восстановлении ионов золота в растворе: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. Б. Крынецкий ; науч. рук.: А. А. Рухадзе, С. С. Фадеева, офиц. оппоненты: А. И. Попов, С. С. Алимпиев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт спектроскопии РАН (Троицк). — М., 1998. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 407 |
|
Исследование электрической формовки и деградатационных процессов в формованных системах металл-диэлектрик-металл: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / В. М. Гапоненко ; науч. рук. Г. А. Воробьев, офиц. оппоненты: М. М. Михайлов, В. М. Калыгина; Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 1996. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 408 |
|
Научные основы создания и регулирования резистивных свойств высоконаполненных эластомеров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. Н. Минакова ; науч. конс. В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, К. П. Арефьев, В. Э. Борзых; Томский политехнический университет (Томск), Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Томск, 2001. — 45 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-45.
|
| 409 |
|
Барьерная электрическая изоляция в высоковольтных изоляционных конструкциях: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / В. И. Чичикин ; науч. рук. Ю. П. Похолков, науч. конс. С. М. Лебедев, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, В. Ф. Важов; Научно-исследовательский институт высоких напряжений (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — Томск, 2001. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17.
|
| 410 |
|
Влияние структуры полиэтилена в крупногабаритных изделиях на свойства и их стабильность в процессе эксплуатации: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / И. М. Крюкова ; науч. рук. В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: А. Г. Овсянников, О. С. Гефле; Научно-исследовательский институт высоких напряжений, Томский политехнический университет. — Томск, 2003. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|