| 291 |
|
Фазовый состав, структура и субструктура гетеросистем кремний - силициды иридия и рения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. Г. Руднева ; науч. рук. В. М. Иевлев, оппоненты: М. М. Мышляев, В. А. Терехов; Воронежский государственный технический университет (Воронеж), Воронежская государственная технологическая академия (Воронеж). — Воронеж, 2003. — 16 с.: ил., табл. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 292 |
|
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике: научное издание / [Н. Н. Михайлов, Р. Н. Смирнов, С. А. Дворецкий и др.]; отв. ред. А. Л. Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. — 2-е изд., стереотип. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2007. — 368 с.: ил.; 25 см. — Авт. указаны в огл. — Библиогр. в конце параграфов. — ISBN 978-5-7692-0963-5.
В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологии и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.
|
| 293 |
|
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике: научное издание / [Н. Н. Михайлов, Р. Н. Смирнов, С. А. Дворецкий и др.]; отв. ред. А. Л. Асеев; Российская академия наук, Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. — 368 с.: ил.; 25 см. — Авт. указаны в огл. — Библиогр. в конце параграфов. — ISBN 5-7692-0608-2: 400.00 р.
В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологий и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.
|
| 294 |
|
Электромагнитные и тепловые процессы в силовом преобразователе электропривода переменного тока с синусоидальной широтно-импульсной модуляцией: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.12 / Д. О. Карпенко ; науч. рук. Ю. А. Сабинин, офиц. оппоненты: В. И. Хрисанов, Б. Ф. Дмитриев; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (СПб.), Центральный научно-исследовательский институт судовой электротехники и технологии. — СПб., 1998. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 295 |
|
Advances in low temperature RF plasmas: Basis for process desing / ed. T. Makabe. — Amsterdam: Elsevier, 2002. — 341 с.: ill. — Ind.: p.339-341. — ISBN 0-444-51095-8: 5352.00 р. |
| 296 |
|
Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги : справ. в 4-х т. / В. М. Петухов. — М.; : КУбК-а , Б.г.
Т. 3 :. — , 1997. — 672 с.: ил. — ISBN 5-85554-152-5: 24500.00 р.
|
| 297 |
|
Цветовая и кодовая маркировка радиоэлектронных компонентов, отечественных и зарубежных: монография / И. И. Нестеренко. — М.: СОЛОН-Р, 1999. — 128 с.: ил. — ISBN 5-85954-067-1: 19.12 р.
|
| 298 |
|
Устройства электропитания бытовой РЭА: справ. / И. Н. Сидоров, М. Ф. Биннатов, Е. А. Васильев. — М.: Радио и связь, 1991. — 472 с.: ил., табл. — ISBN 5-256-00364-X: 5.50 р.
|
| 299 |
|
Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко. — М.: Физматлит, 2010. — 407 с.: ил.; 23 см. — Библиогр.: с. 372-401. — ISBN 978-5-9221-1200-0: 462.00 р.
Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.
|
| 300 |
|
Электронная техника в автоматике : сб. ст. / под ред. Ю. И. Конева.
Вып. 11 :. — М.: Советское радио, 1980. — 288 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10 р.
|