| 301 |
|
Физика и техника высоких давлений : респ. межвед. сб. науч. тр. / АН УССР, Донецкий физико-технический институт ; редкол. : Н. М. Ковтун (отв. ред.) [и др.].
Вып. 22 :. — Киев: Наукова думка, 1986. — 101 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.40 р.
|
| 302 |
|
Исследование процессов преобразования радиационных дефектов в кристаллах CaF2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. Ф. Штанько ; науч. рук.: В. А. Москалев, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Г. А. Михальченко, Н. А. Битовский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН Латвийской ССР (Тарту). — Томск, 1975. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 303 |
|
Проблемы прочности и пластичности : межвузовский сборник / Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского. — Нижний Новгород; : Издательство Нижегородского университета , Б.г.
Вып. 64 :. — , 2002. — 204 с.: ил. — ISBN 5-85746-500-1: 49.50 р.
|
| 304 |
|
Эффект "шахматной доски" в распределении напряжений и деформаций на интерфейсах в нагруженном твердом теле: научное издание / В. Е. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М.
|
| 305 |
|
Физическая химия поверхностей: научное издание / А. У. Адамсон ; пер. с англ. И. Г. Абидора, под ред. З. М. Зорина, В. М. Муллера. — М.: Мир, 1979. — : ил. — Предм. указ.: с. 552-564. — 4.30 р.
Книга - в настоящее время единственное в мировой литературе издание, в котором излагаются основные теоретические закономерности современной физической химии дисперсных систем и поверхностных явлений. Широта охвата проблемы, новизна материала и мастерское изложение вопросов позволяют использовать книгу и как монографию для научных работников и инженеров, деятельность которых связана с физикохимией поверхностей и многочисленными прикладными направлениями коллоидной химии, адгезией, адсорбцией, флотацией и т. п., и в качестве учебного пособия для преподавателей, аспирантов и студентов вузов.
|
| 306 |
|
Механизм проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. В. Бутков ; научный руководитель Д. И. Вайсбурд, научный руководитель В. А. Москалев; Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 1987. — 133 л.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 119-130.
|
| 307 |
|
Физика наноразмерных структур. Формирование наноразмерных областей в стеклообразных материалах: учеб. пособие для вузов по направлению подгот. 140400 "Техн. физика" / Т. В. Бочарова [и др.] ; рец.: Ю. А. Быстров, С. А. Немов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПб.). — СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2008. — 125 с.: граф., табл.; 20 см. — (Приоритетные национальные проекты) ; (Инновационная образовательная программа Санкт-Петербургского государственного политехнического университета / Федер. агентство по образованию). — Приоритетный национальный проект "Образование". Инновационная образовательная программа СПб. гос. политехнического ун-та "Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России". — Библиогр.: с. 125. — ISBN 978-5-7422-1802-9: 279.40 р.
Пособие соответствует гос. образовательному стандарту направления подготовки 140400 "Техническая физика" и содержанию учебной программы дисциплины ОПД.Ф.03 "Материаловедение и технология конструкционных материалов". Содержит сведения по физическим основам формирования микронеоднородных областей в стекле вследствие протекания сегрегационых явлений активатора на основе обобщения результатов ведущихся в мире интенсивных исследований в области стеклообразного состояния вещества и композитных структур на основе стекол. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 140400 "Техническая физика" при изучении дисциплин "Материаловедение и технология конструкционных материалов" и "Физика некристаллических твердых тел". Может быть использовано для подготовки студентов по направления "Электроника и микроэлектроника", а также аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники.
|
| 308 |
|
Физические основы электронной спектроскопии заряженных поверхностей твердых тел: монография / А. Т. Козаков ; рец.: В. А. Явна, А. М. Лерер; Южный федеральный университет (Ростов н/Д). — Ростов-на-Дону: Издательство Южного федерального университета, 2009. — 405 с.: ил.; 21 см. — (Приоритетные национальные проекты). — Библиогр.: с. 404-405. — ISBN 978-5-9275-0711-5: 298.10 р.
В монографии рассмотрены процессы, сопровождающие вылет электронов из заряженных поверхностей поляризованных электретов, сегнето-электриков. В первых главах рассмотрено устройство рентгеноэлектронного спектрометра, принципы функционирования энергоанализатора электронов, разработана методика получения спектров медленных электронов с нейтральных и заряженных поверхностей материалов. В процессе дальнейшего исследования разработанная методика применена для получения электронных спектров (спектров аномальной электронной эмиссии (АЭЭ)) с отрицательных поверхностей сегнетоэлектрических материалов (монокристаллов и керамик), обладающих электретными свойствами, и электретов. Изложена теория спектров АЭЭ, рассчитано распределение потенциала по заряженной поверхности поляризованных материалов. Рассмотрены прикладные аспекты применения спектров АЭЭ.
|
| 309 |
|
Parametric X-ray Radiation in Crystals: Theory, Experiments and Applications / V. G. Baryshevsky, I. D. Feranchuk, A. P. Ulyanenkov. — Berlin ; Heidelberg; New York: Springer, 2005. — X,167 p.: ill.; 24 cm. — (Springer Tracts in Modern Physics, 0081-3869). — Bibliogr. at the end of the chapters. — ISBN 3-540-26905-3: 150.00 р.
|
| 310 |
|
Особенности переноса энергии электронного возбуждения между ионами хрома и редкоземельных элементов в кристаллах гранатов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Ю. С. Привис ; науч. рук. И. А. Щербаков, офиц. оппоненты: В. И. Жеков, А. М. Онищенко; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1998. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|