Основы инфракрасной техники: [Учебник] / В. В. Козелкин, И. Ф. Усольцев. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Машиностроение, 1974. — 336 с.: ил. — 0.53 р.

Моделирование разрядных процессов в условиях дискретно-ячеечной организации газового объема газоразрядного преобразователя рентгеновского излучения в видимое: автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. техн. наук / В. Н. Цицура; Томский политехнический университет (Томск), ФГУП НИИ "Проект" (Томск). — Томск, 2007. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Исследование мощного протяженного разряда в CO2-лазере замкнутого цикла: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.05 / А. И. Иванченко ; науч. рук.: Р. И. Солоухин, Ю. А. Якоби, офиц. оппоненты: А. В. Недоспасов, Б. Н. Лисицин; Институт теоретической и прикладной механики СО АН СССР, Институт проблем механики АН СССР. — Новосибирск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 10-12.

Скорость хрупкого разрушения щелочногалоидных кристаллов под действием наносекундных импульсов облучения мощными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: В. М. Финкель, Б. В. Семкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН ЭССР (Тарту). — Томск, 1975. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.

Прецизионные детектирующие системы на основе неоднородных полупроводников (Si, GaAs, CdTe): автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.11.10 / А. Я. Яфасов ; офиц. оппоненты: Н. И. Комяк, В. М. Залетин, В. В. Авдейчиков; Радиевый институт им. В. Г. Хлопина (Л.), Центральное проектно-конструкторское и технологическое бюро приборостроения АН Узбекской ССР, Всесоюзный научно-исследовательский институт радиационной техники. — Л., 1990. — 32 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 28-32.

Нелинейные взаимодействия световой бигармоники, резонансной спиновым частотам, с парамагнитными газами: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.05 / А. В. Еньшин ; офиц. оппоненты: О. Н. Улеников, Ю. Д. Копытин, Л. В. Горчаков; Томский государственный университет (Томск), Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1995. — 33 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-33.

Многомерные задачи переноса излучения в лазерной физике высоких интенсивностей: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. Л. Галкин ; офиц. оппоненты: А. М. Игнатов, Л. Н. Пятницкий, А. П. Сухоруков; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Научно-исследовательский вычислительный центр (М.). — М., 1997. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-22.

Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. М. Анненков ; офиц. оппоненты : Э. Д. Алукер, В. Н. Брудный, А. И. Непомнящих; Томский политехнический университет, Уральский государственный технический университет. — Томск, 2002. — 42 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-42.

Пороговые процессы в твердых телах при взаимодействии с сильноточными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Олешко ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, Л. Б. Зуев, В. Г. Кригер; Томский политехнический университет (Томск), Томский государственный университет (Томск), Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики (Томск). — Томск, 2009. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-32.

Поведение систем металл-водород при радиационном воздействии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. П. Черданцев ; науч. конс. И. П. Чернов, офиц. оппоненты : Б. А. Калин, Ю. Р. Колобов, В. П. Кривобоков; Томский политехнический университет (Томск), Российский научный центр "Курчатовский институт" (М.), Институт ядерного синтеза (М.). — Томск, 2005. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.