В книге изложены физические, технические и расчетно-теоретические вопросы проектирования устройств и систем адаптивной оптики в импульсных мощных лазерных установках. Интерес к данной теме вызван поистине бумом создания импульсных мощных лазерных установок и приобретающей четкие очертания перспективой создания термоядерной электростанции на основе таких лазеров. Синтез идей адаптивной оптики в сочетании с анализом особенностей функционирования многопроходных импульсных лазеров позволяет создать системы, многократно повышающие характеристики этих лазеров. Оптимизация всех элементов системы, включая лазер, производится с позиции пространственной фильтрации лазерного излучения. Приведено описание более чем двадцатилетнего развития данного направления и освещены его перспективы. Книга предназначена для научных и инженерных работников в области электроники, оптики и точного приборостроения.

Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы лазерных переходов, используя материалы с различными свойствами, в том числе недоступные для инжекционных лазеров, обнаружить новые явления, создать мощные лазеры, конкурирующие с твердотельными. Рассмотрены известные соединения АШВ и AnBVI, а также новые трех- и четырехкомпонентные «идеальные» твердые растворы. В условиях интенсивного возбуждения обнаружено новое явление — атермический импульсный отжиг, в результате которого улучшаются объемные и поверхностные свойства активных сред. Описаны деградационные явления и спектрально-временные характеристики излучения с разрешением до 10~" с. Рассмотрены возможные физические модели этих явлений. Материалы монографии автор использует при чтении лекций в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Изложенный в книге материал ранее в других монографиях не обсуждался. Для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области квантовой электроники.