| 81 |
|
Производство полупроводниковых приборов: учеб. пособие для индивид. и бригадн. обуч. рабочих на производстве / В. А. Брук, В. В. Гаршенин, А. И. Курносов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1968. — 288 с.: ил. — Библиогр.: с. 285. — 0.50 р.
|
| 82 |
|
Надежность оптоэлектронных полупроводниковых приборов: монография / В. А. Воротинский, Н. К. Дадерко, Л. П. Егоров. — М.: Радио и связь, 1983. — 136 с.: ил. — Библиогр.: с. 131-134. — 0.35 р.
|
| 83 |
|
Основы электроники: монография / И. П. Жеребцов. — 4-е изд., перераб. и доп. — Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1985. — 352 с.: ил. — Библиогр.: с. 348. — 2.20 р.
|
| 84 |
|
Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений: монография / Н. Ф. Ковтонюк, Е. Н. Сальников. — М.: Радио и связь, 1990. — 160 с.: ил. — (Массовая библиотека инженера "Электроника"). — Библиогр.: с. 153-158. — ISBN 5-256-00735-1: 0.60 р.
|
| 85 |
|
СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках: учеб. пособие для вузов по напр. 210100 " Электроника и наноэлектроника" / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой. — М.: Техносфера, 2011. — 256 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-271-7: 475.00 р.
Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.
|
| 86 |
|
Основы промышленной электроники: учеб. для неэлектротехн. спец. вузов / В. Г. Герасимов [и др.] ; под ред. В. Г. Герасимова. — 3-е изд. перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1986. — 336 с.: ил. — Библиогр.: с. 329. — Предм. указ.: с. 330-333. — 0.80 р. |
| 87 |
|
Прогнозирование надежности полупроводниковых приборов: монография / Р. В. Конакова [и др.] ; под общ. ред. Ю. А. Тхорика; АН УССР, Институт полупроводников, Словацкая АН, Электрофизический институт центра электрофизических исследований. — Киев: Наукова думка, 1986. — 188 с.: ил. — Библиогр.: с. 174-186. — Предм. указ.: с. 187-188. — 1.90 р. |
| 88 |
|
Фотопотенциометры и функциональные фоторезисторы: монография / С. В. Свечников, А. К. Смовж, Э. Б. Каганович. — М.: Советское радио, 1978. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 167-180. — Предм. указ.: с. 181-182. — 0.55 р.
|
| 89 |
|
Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами: монография. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1988. — 117 с.: ил. — Библиогр.: с. 112-115. — 0.40 р.
|
| 90 |
|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: монография / Г. Красников. — 2-е изд., испр. — М.: Техносфера, 2011. — 799 с.: ил.; 25 см. — (Мир электроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-289-2: 1188.00 р.
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
|