Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. В. Градобоев; Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.

Исследование поведения водорода в нержавеющей стали при температурном и радиационном воздействии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. А. Х. Адель ; науч. рук. И. П. Чернов, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, Г. П. Грабовецкая; Томский политехнический университет, Томский государственный архитектурно-строительный университет. — Томск, 2010. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Измерение микро- и нанорельефа поверхности методами низкокогерентной интерферометрии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.05 / Е. В. Сысоев ; науч. рук. Ю. В. Чугуй, офиц. оппоненты: А. Г. Полещук, В. И. Гужов; Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Институт автоматики и электрометрии СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск, 2010. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Ударно-волновые процессы и разрушение в анизотропных материалах и конструкциях: дис. ... канд. физ.-мат. наук / П. А. Радченко ; науч. рук. А. В. Радченко; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики Томского государственного университета (Томск). — Томск, 2010. — 147 л.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 128-147.

Численное моделирование деформирования и разрушения анизотропных сред (на примере озерного льда): дис. ... канд. физ.-мат. наук / Н. А. Мельникова ; науч. рук. М. М. Немирович-Данченко; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Северский технологический институт (Северск). — Томск, 2010. — 165 л.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 147-165.