| 391 |
|
Компьютерное моделирование физических процессов при воздействии ионов и электронов на поверхность и газ: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. В. Рыжов ; офиц. оппоненты: В. Я. Иванов, А. В. Лучинский, С. И. Яковленко; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 34 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 31-34.
|
| 392 |
|
Проблемы эффективности и стабильности генерации электронных мазеров: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Савилов ; науч. рук. В. Л. Братман, офиц. оппоненты: В. А. Базылев, М. Д. Токман; Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород), Объединенный институт ядерных исследований (Дубна). — Нижний Новгород, 1995. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 393 |
|
Рассеяние света негауссовскими шероховатыми поверхностями: анализ на основе полигауссовских моделей случайных процессов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / М. Я. Литвак ; науч. рук. Н. Н. Петров, науч. конс. В. И. Малюгин, офиц. оппоненты: В. И. Пшеницын, В. Г. Ильин ; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.). — СПб., 1996. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 394 |
|
Теоретическое и экспериментальное исследование мазеров на циклотронном авторезонансе миллиметрового диапазона длин волн: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. В. Самсонов ; науч. рук. В. Л. Братман, офиц. оппоненты: В. А. Черепенин, А. Л. Гольденберг; Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Нижний Новгород, 1996. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-21.
|
| 395 |
|
Резонансные свойства электронных волн в сверхразмерных секционированных черенковских СВЧ-устройствах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / И. А. Чернявский ; науч. рук.: В. И. Кошелев, В. М. Пикунов, офиц. оппоненты: С. Д. Коровин, А. С. Шлапаковский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт радиотехники и электроники РАН (М.). — М., 1996. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|