| 651 |
|
Эмиссионная сильноточная электроника: сборник / Ю. А. Баренгольц [и др.] ; ред. Г. А. Месяц; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. — 112 с.: ил. — Библиогр. в конце ст.
|
| 652 |
|
Электроника больших мощностей: сборник / П. Л. Капица ; отв.: ред. П. Л. Капица, Л. А. Вайнштейн. — М.: Наука, 1964. — 244 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.06 р.
|
| 653 |
|
Электроника больших мощностей: сборник / П. Л. Капица ; отв. ред.: П. Л. Капица, Л. А. Вайнштейн. — М.: Наука, 1969. — 189 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.81 р.
|
| 654 |
|
Физика сильноточных релятивистских электронных пучков: монография / А. А. Рухадзе [и др.] ; под ред. А. А. Рухадзе. — М.: Атомиздат, 1980. — 168 с.: ил. — Библиогр.: с. 160-163.
|
| 655 |
|
Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их основе: научное издание / Н. И. Татаренко, В. Ф. Кравченко. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. — 192 с.: ил. — Библиогр.: с. 178-192. — ISBN 5-9221-0695-3: 181.50 р.
В книге дан анализ современного состояния и тенденций развития вакуумной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены физико-химические основы процесса создания нового класса автоэмиссионных наноструктур на базе на-нопористого анодного оксида алюминия. Приведены результаты исследований их геометрических параметров, элементного состава и эмиссионных характеристик. Представлена принципиально новая интегральная технология создания наноструктурных автоэлектронных микроприборов и систем их межсоединений на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов. Изложены физические основы процедуры моделирования и расчета характеристик этих микроприборов. Приведены их экспериментальные и расчетные характеристики. Предназначается для научных и инженерно-технических работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физической электроники, микро- и наноэлектроники.
|
| 656 |
|
Основы плазменной электроники: уч. пос. для студентов вузов, обучающихся по направлению 553100 "Техническая физика" / Ю. С. Протасов, С. Н. Чувашев. — М.: Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2006. — 632 с. — (Электроника: в техническом университете / под общ. ред. И. Б. Федорова). — Библиогр.: с. 540-542. — Предм. указ.: с. 621-629. — ISBN 5-7038-2700-0: 185.00 р.
Настоящее учебное пособие является второй книгой раздела «Физическая электроника» серии книг «Электроника в техническом университете» и посвящена характеризации всей совокупности электромагнитных явлений и электро-опто-теплофизических процессов в газоразрядной плазме широкого спектрально-энергетического диапазона. На основе классических представлений квантовой механики, электродинамики и физики плазмы рассмотрены некоторые фундаментальные для плазменной электроники разделы, среди которых: электронные состояния, энергетические спектры и элементарные процессы в плазменном объеме, равновесные и неравновесные распределения связанных и свободных частиц в плазме, а также закономерности основных процессов взаимодействия электромагнитного поля с газоразрядной плазмой, колебания, неустойчивости и турбулентность в плазме. Содержание учебного пособия соответствует курсам лекций, которые авторы читают в МГТУ им. Н. Э. Баумана и МГУ им. М. В. Ломоносова. Для студентов, аспирантов, инженеров и научных работников, специализирующихся в области разработок и исследований всего спектра устройств твердотельной, газоразрядной и плазменной электроники, электроники СВЧ, ускорительной и фотонной техники и пучковых технологий.
|
| 657 |
|
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00 р.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
|
| 658 |
|
Эмиссионная электроника: монография / Л. Н. Добрецов, М. В. Гомоюнова. — М.: Наука, 1966. — 564 с.: ил. — Библиогр.: с. 543-558. — Предм. указ.: с. 559-564. — 5.51 р.
|
| 659 |
|
Физика твердого тела для инженеров: учеб. пособие: [для вузов по специальности 210101 "Физ. электроника"] / В. А. Гуртов, Р. Н. Осауленко ; науч. ред. Л. А. Алешина, рец.: Э. А. Маныкин, Ю. А. Гороховатский, С. А. Немов. — М.: Техносфера, 2007. — 518 с.: ил.; 25 см. — (Мир физики и техники). — Предм. указ.: с. 514-518. — Библиогр.: с. 505-510. — ISBN 978-5-94836-141-3: 347.08 р.
Учебное пособие представляет собой систематизированное и доступное изложение курса физики твердого тела, содержащее основные элементы физики конденсированного состояния и ее приложения для описания физических свойств твердых тел и процессов, происходящих в них. В книге подробно рассматриваются вопросы строения кристаллов и аморфных твердых тел, типы межатомных связей и их влияние на структуру веществ. Приводятся основные положения теории колебаний атомов в кристаллической решетке, описаны тепловые, магнитные и диэлектрические свойства конденсированных сред. В учебном пособии отражены необходимые сведения из атомной физики и квантовой механики и на этой основ зонная теория твердых тел и электронные процессы в них. рассматриваются основные положения теории сверхпроводимости и фазовых переходов. Книга написана доступным языком с привлечением математического аппарата в объеме вузовских курсов по математике. Учебное пособие рассчитано на студентов инженерных факультетов, изучающих физику твердого тела или некоторые ее разделы, а также может быть полезно научным работникам смежных с физикой областей науки, желающим ознакомиться с основными положениями и методами физики твердого тела.
|
| 660 |
|
Релятивистские магнетронные СВЧ-генераторы / И. И. Винтизенко, С. С. Новиков; М-во образования и науки РФ, НИИ ядер. физики Том. политехн. ун-та, Том. госуниверситет. — Томск: Издательство научно-технической литературы, 2009. — 430 с.: ил.; 21 см. — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-89503-412-5: 1400.00 р.
В монографии приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований релятивистских магнетронных СВЧ-генераторов за период с 1976 по 2009 г., проведенных в России и за рубежом, в том числе и авторами монографии. Описаны конструкции генераторов, принцип действия, отличия от классических аналогов. Подробно обсуждаются проблемы генерации СВЧ-импульсов сверхбольшой мощности, получаемой в релятивистских магнетронах при использовании в качестве источников питания сильноточных электронных ускорителей и линейных индукционных ускорителей. Приведены основные параметры экспериментальных установок, режимов работы, характеристики СВЧ-излучения. Обсуждаются нетрадиционные возможности управления колебательным процессом в релятивистских магнетронах, его спектром и потоками энергии за счет введения в резонансную систему управляющих внешних связей. Монография представляет интерес для научных сотрудников и разработчиков, занимающихся исследованиями в области СВЧ-электроники и ускорительной техники.
|