| 26 |
|
Моделирование захвата и вывода электронного пучка бетатрона с азимутальной вариацией поля: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / Т. С. Иванилова ; науч. рук. Ю. Н. Адищев, офиц. оппоненты : В. Л. Чахлов, В. М. Попик; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН. — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 27 |
|
Генерирование широкоапертурных ионных пучков и потоков плазмы на основе тлеющего разряда с полым катодом и внешней инжекцией электронов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Визирь ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, Н. В. Гаврилов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск). — Томск, 2000. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 28 |
|
Несамостоятельный тлеющий разряд с полым катодом для азотирования титана: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / Ю. Х. Ахмадеев ; науч. рук. Н. Н. Коваль, офиц. оппоненты: Е. М. Окс, И. Б. Степанов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.
|
| 29 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 2001. — 186 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 170-183.
|
| 30 |
|
Источник электронов на основе разряда с полым катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / А. В. Мытников ; науч. рук.: Е. М. Окс, В. А. Бурдовицын, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Семенов; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|