В кратной и доступной форме изложен материл, соответствующий программе кандидатского минимума по основам философии науки. Осуществлена попытка сохранить мировоззренческий потенциал философии, обогатив его содержанием философии науки, и заполнить возникший дефицит учебной литературы по данной дисциплине. Для студентов, аспирантов и соискателей, готовящихся к экзаменам кандидатского минимума по философии науки, а также преподавателей и всех желающих составить собственное представление о современной философии науки.

Книга представляет самое полное и многогранное из всех изданных пособий для соискателей ученой степени кандидата и доктора наук; в ней отражены изменения в порядке присуждения ученых степеней, произошедшие в период 1999-2005 гг. Приведены новые положения о порядке присуждения ученых степеней и присвоения ученых званий. В пособии изложены не только формальные процедуры подготовки диссертации и ее защиты, но и подробно освещены содержательные стороны процессов обучения в аспирантуре, сдачи кандидатских экзаменов, выбора темы диссертации, ее написания, представления к защите, самой защиты. Высказаны советы соискателям ученых степеней. Книга содержит воспоминания автора о ситуациях, возникающих в связи с защитой диссертаций, а также Приложения нормативного и справочного характера, которыми необходимо руководствоваться при подготовке и защите диссертации. Настоящее, шестое издание дополнено сведениями о нормативных документах, принятых после выхода предыдущего издания, в частности Приложение 3а дано в новой редакции. Предназначено для соискателей ученых степеней.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.