В книге изложены различные химические методы получения тонких пленок на стекле, кристаллах и полупроводниковых материалах. Рассмотрены физико-химические явления, протекающие при формировании и сцеплении пленок с поверхностью основного материала. Показаны области применения разработанных покрытий и способов их нанесения (химическая промышленность, стеклоделие, оптическое приборостроение, электроника). Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников химической и смежных с ней отраслей промышленности, а также для студентов вузов.

В справочнике приведены сведения о более 5000 тыс. зарубежных и отечественных полупроводниковых приборах, выпускаемых в настоящее время и выпущенных за последние 20 лет (диодах, стабилитронах и стабисторах, диодах СВЧ, варикапах, тиристорах, оптронах, фотодиодах и магнитодиодах), и приведены аналоги для их замены. Основные параметры приведены в форме таблиц. В каждой таблице предусмотрена возможность добавления новых п/п приборов. В справочнике приведены графические изображения корпусов и основные размеры. Справочник рассчитан на широкий круг радиолюбителей, занимающихся ремонтом и сборкой радиоэлектронной аппаратуры.

В справочнике описаны принцип работы и конструкция отечественных серийно выпускаемых силовых полупроводниковых приборов, приведены параметры и характеристики приборов, методы расчета рабочих режимов в зависимости от условий применения, рекомендации по групповому соединению, методы расчета нагрузочной и перегрузочной способностей.

Книга посвящена кругу вопросов, связанных с применением туннельных диодов в импульсных схемах. Рассматриваются свойства туннельных диодов, их характеристики, а также характеристики комбинированных схем, вопросы аппроксимации характеристик . Главное внимание уделено анализу работы туннельных диодов в схемах усиления колебаний, в схемах автогенераторов и триггеров. Излагаемый материал в значительной степени основывается на теоретических и экспериментальных работах автора и его сотрудников; здесь также использован ряд работ, опубликованных в отечественной и зарубежной литературе. Книга рассчитана на специалистов, работающих в области импульсной техники и полупроводниковых устройств, и на студентов вузов.

В книге рассматриваются вопросы, связанные с теоретической и экспериментальной разработкой плазменных умножителей частоты СВЧ-диапазона. Анализируются различные нелинейные явления в плазме. Значительное внимание уделено процессам, происходящим на границе металл - плазма.Подробно описывается плазменный варактор - новый нелинейный элемент, являющийся плазменным аналогом полупроводникового перехода. Нелинейный конденсатор плазменного варактора образуется на поверхности металлического электрода, погруженного в плазму, а его обкладками являются сам электрод и резкая граница электронной компоненты плазмы, формирующейся под действием приложенного СВЧ-напряжения. Умножитель, работающий на плазменном варакторе, обеспечивает эффективность преобразования порядка 50% (для второй гармоники) при высоком уровне входной мощности, значительно превосходящем возможности полупроводниковых приборов. Приводится обзор литературы и обширная библиография, посвященная исследованиям плазменных умножителей за последние 20 лет. Даются рекомендации по конструированию плазменных умножителей и данные для инженерного расчета.

В книге рассматриваются вопросы расчета и проектирования термоохлаждающих устройств. Значительное внимание уделяется изучению влияния конструктивных и технологических факторов на эффективность и надежность термобатарей. Теоретические исследования дополняются примерами конкретных расчетов и данными практических испытаний термоохлаждающих устройств. Издание расчитано на широкий круг специалистов, занимающихся разработкой и применением термоохлаждающих устройств.

В книге рассматриваются физика полупроводников и физические процессы в полупроводниковых приборах, их основные характеристики, параметры, конструкции и основы технологии; основные вопросы надежности и теплоотвода, а также вопросы моделирования режимов работы силовых полупроводниковых приборов; схемы управления силовых полупроводниковых приборов и преобразовательных устройств; схемы последовательного и параллельного соединения тиристоров, а также схемы импульсных устройств на тиристорах. Приводятся основные типы новых силовых высоковольных ионных приборов с объяснением происходящих в них физических процессов, конструктивные особенности и основные области применения силовых ионных приборов. Дается технико-экономическое обоснование эффективности применения силовых приборов в устройствах преобразовательной техники.

В систематизированном виде изложены принципы построения малогабаритных оптических передатчиков на базе инжекционных излучателей. Анализируются характеристики полупроводниковых лазеров, светодиодов при действии совокупности дестабилизирующих факторов и определяются требования к генераторам их накачки. Исследованы переходные процессы, происходящие в различных по принципу действия ключевых коммутаторах, приводятся инженерные расчеты по выбору основных параметров оптических передатчиков, а также схемотехнические решения, обеспечивающие требуемые параметры модуляции с применением различных по быстродействию и по принципу действия ключевых элементов. Приведены данные исследований по стабилизации и измерению параметров светового излучения оптических передатчиков.Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, производством и эксплуатацией современной оптоэлектронной аппаратуры; может быть полезна студентам радиотехнических специальностей вузов.

Рассматриваются возможности и особенности применения полупроводниковых четырехслойных приборов (диодных, триодных, в том числе запираемых по входу тиристоров и фототиристоров) в качестве ключевых элементов радиоэлектронных устройств. Дается физический анализ ключевых свойств тиристорного ключа, определяются режимы и предлагаются методы и схемы автоматизированного измерения основных параметров. Анализируются типовые цели отпирания, запирания и выключения тиристоров. Излагается теория и расчет тиристорных схем формирования, счета и распределения импульсов во времени и даются примеры их практического использования в конкретных радиоэлектронных устройствах. Оцениваются перспективы применения тиристоров специальных типов в ключевых и логических схемах.Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся как разработкой элементов систем управления, автоматики, телеметрии с использованием тиристоров, так и созданием полупроводниковых приборов на основе четырехслойной структуры. Книга также может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области радиоэлектроники.

В книге рассматриваются технико-экономические вопросы и основные тенденции развития систем энергетики в первой половине XXI века. Эти проблемы излагаются в отношении систем газо- и нефтеснабжения, угольной промышленности, теплового хозяйства и электроэнергетики. Сформулирована концепция создания единой системы добычи и транспорта газа в Северо-Восточной Азии, а также направления формирования Евразийского суперэнергообъединения и требования к развитию ЕЭС России. Рассматриваются вопросы технологического и экономического управления системами энергетики в условиях их либерализации. Эти вопросы анализируются с учетом мирового опыта и специфики условий России. Формулируются рекомендации по развитию принципов и систем технологического и экономического управления системами энергетики в рыночных условиях.Книга рассчитана на специалистов в области энергетики, экономики, преподавателей и аспирантов вузов.

"Электротехническая энциклопедия" включает в себя статьи по основным направлениям теоретической и практической электротехники. Она представляет собой 4-томное издание, предназначенное для инженерно-технических работников промышленных предприятий и различных организаций, чья практическая деятельность связана с электроэнергетикой, электротехникой и применением изделий электротехнической промышленности, преподавателей, студентов, а так же для широкого круга читателей, интересующихся электротехникой.

"Электротехническая энциклопедия" включает в себя статьи по основным направлениям теоретической и практической электротехники. Она представляет собой 4-томное издание, предназначенное для инженерно-технических работников промышленных предприятий и различных организаций, чья практическая деятельность связана с электроэнергетикой, электротехникой и применением изделий электротехнической промышленности, преподавателей, студентов, а так же для широкого круга читателей, интересующихся электротехникой.

"Электротехническая энциклопедия" включает в себя статьи по основным направлениям теоретической и практической электротехники. Она представляет собой 4-томное издание, предназначенное для инженерно-технических работников промышленных предприятий и различных организаций, чья практическая деятельность связана с электроэнергетикой, электротехникой и применением изделий электротехнической промышленности, преподавателей, студентов, а так же для широкого круга читателей, интересующихся электротехникой.

"Электротехническая энциклопедия" включает в себя статьи по основным направлениям теоретической и практической электротехники. Она представляет собой 4-томное издание, предназначенное для инженерно-технических работников промышленных предприятий и различных организаций, чья практическая деятельность связана с электроэнергетикой, электротехникой и применением изделий электротехнической промышленности, преподавателей, студентов, а так же для широкого круга читателей, интересующихся электротехникой.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видоеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы. Пособие предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области полупроводниковой нанотехнологии, микро- и наноэлектроники.

В справочном пособии рассматриваются вопросы расчета и проектирования полупроводниковых радиопередающих устройств, выполненных на основе гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции. Обсуждаются электрические характеристики и особенности конструктивного исполнения пассивных и активных элементов. Излагаются принципы работы и теория автогенераторов, усилителей мощности, умножителей частоты, частотных и фазовых модуляторов. устройств суммирования мощности, даются примеры расчета их основных характеристик и топологий. Рассматриваются особенности конструирования радиопередающих устройств. Для специалистов, занимающихся проектированием СВЧ аппаратуры. Может быть полезна студентам вузов.

В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.

Рассматриваются физические основы квантового усиления, принципы работы и физические процессы в таких оптических квантовых генераторах, как газовые лазеры (атомарные, ионные и молекулярные), твердотельные, жидкостные и полупроводниковые, а также светодиоды. Приводятся параметры и характеристика лазеров различных типов, описывается их конструкция. Для студентов, обучающихся по специальности 2007, 2012, 2016, 2017, 071500.

В монографии рассматриваются теоретические основы, методика и практика применения метода рентгеновской топографии на основе эффекта Бормана (РТБ). Приводятся методика и результаты моделирования теоретического контраста от основных типов дефектов в монокристаллических материалах в методе РТБ и его сопоставление с экспериментальным контрастом. Предложены методы цифровой обработки изображений, позволившие устранить слабый контраст и фоновую неоднородность топограмм и фотонегативов, влияние зернистости фотоэмульсии, представить изображение дефектов в виде, более удобном для анализа и идентификации дефектов. Для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов, специализирующихся в области материаловедения, кристаллофизики и технологии материалов электронной техники.