Методами оптической, атомно-силовой, просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, а также рентгеноструктурного анализа исследовано влияние электронно-пучковой обработки на морфологию поверхности и структуру титана ВТ1-0. Показано, что облучение 3 электронными импульсами с плотностью энергии в пучке W=12—24 Дж/см2 и длительностью импульсов 50 мкс приводит к формированию в поверхностных слоях образцов ВТ1-0 многослойной структуры, состоящей из мелких зерен aльфа-фазы, имеющих субзеренную структуру, и нижележащих крупных зерен, содержащих мартенситную альфа-фазу. Продемонстрировано влияние плотности энергии электронного пучка на твердость и величину микро- и макронапряжений, развивающихся в модифицированном поверхностном слое. Представлены результаты расчета тепловых полей, возникающих в процессе обработки электронным пучком.

В настоящее время все большее применение как в промышленной технологии, так и в технике физического эксперимента находят генераторы низкотемпературной плазмы (плазмотроны). Особый интерес представляют плазмотроны переменного тока работающие от сети промышленной частоты, а также мощные импульсные системы, позволяющие достигнуть экстремальных параметров генерируемой плазмы. Сборник посвящен описанию и исследованию подобных устройств; полезен научным работникам и инженерам, работающим в области создания и исследования потоков низкотемпературной плазмы, а также студентам и аспирантам соответствующих специальностей.

Впервые в отечественной литературе дается полное изложение современных методов и систем регламентации расходов жидких сред, в основном агрессивных и токсичных. Приведены методы выброса структур дозирующих систем и расчета их оптимальных параметров, описана аппаратура для дозирования с пневматическим, электрическим и комбинированным управлением. Большое внимание уделено справочному материалу, необходимому для выбора оптиальных структур, типов и систем регламентации. Для технологов, механиков, проектировщиков, специалистов по автоматизации и приборостроению.

Книга посвящена кругу вопросов, связанных с применением туннельных диодов в импульсных схемах. Рассматриваются свойства туннельных диодов, их характеристики, а также характеристики комбинированных схем, вопросы аппроксимации характеристик . Главное внимание уделено анализу работы туннельных диодов в схемах усиления колебаний, в схемах автогенераторов и триггеров. Излагаемый материал в значительной степени основывается на теоретических и экспериментальных работах автора и его сотрудников; здесь также использован ряд работ, опубликованных в отечественной и зарубежной литературе. Книга рассчитана на специалистов, работающих в области импульсной техники и полупроводниковых устройств, и на студентов вузов.

Представлена нелинейно-инерционная модель p-n-перехода, предназначенная для повышения качества моделирования радиоэлектронных устройств путем получения существенно меньшей погрешности моделирования относительно квазистатической модели за счет реализации зависимости последовательного сопротивления потерь от диффузионного заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда от прямого тока.Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, работающих в области проектирования радиоэлектронной аппаратуры, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области радиотехники, промышленной и физической электроники.

В книге рассматриваются физика полупроводников и физические процессы в полупроводниковых приборах, их основные характеристики, параметры, конструкции и основы технологии; основные вопросы надежности и теплоотвода, а также вопросы моделирования режимов работы силовых полупроводниковых приборов; схемы управления силовых полупроводниковых приборов и преобразовательных устройств; схемы последовательного и параллельного соединения тиристоров, а также схемы импульсных устройств на тиристорах. Приводятся основные типы новых силовых высоковольных ионных приборов с объяснением происходящих в них физических процессов, конструктивные особенности и основные области применения силовых ионных приборов. Дается технико-экономическое обоснование эффективности применения силовых приборов в устройствах преобразовательной техники.

В книге изложены результаты теоретических и экспериментальных исследований импульсных перенапряжений в различных типах обмоток и конструкциях трансформаторов. Рассмотрены методы расчета и способы снижения перенапряжений в обмотках. Изложены вопросы методики импульсных испытаний трансформаторов. В отдельной главе рассмотрены волновые процессы в обмотках вращающихся электрических машин. Изложение базируется на результатах собственных исследований и на обобщении материалов различных авторов.Книга рассчитана на инженеров и научных работников, занимающихся вопросами исследования, проектирования, испытания и эксплуатации трансформаторов и электрических машин, а также может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в этой области.

В книге производится обзор схем, излагаются основные положения теории и дается методика расчета импульсных полупроводниковых преобразователей и стабилизаторов постоянного напряжения, применяющихся в системах электропитания электронной аппаратуры. Анализ основных соттношений и характеристик производится для статического и динамического режимов. Предложенная методика иллюстрируется примерами расчетов.Книга предназначена для инженерно-технических и научных работников, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией блоков питания электронной аппаратуры.

Рассматриваются возможности и особенности применения полупроводниковых четырехслойных приборов (диодных, триодных, в том числе запираемых по входу тиристоров и фототиристоров) в качестве ключевых элементов радиоэлектронных устройств. Дается физический анализ ключевых свойств тиристорного ключа, определяются режимы и предлагаются методы и схемы автоматизированного измерения основных параметров. Анализируются типовые цели отпирания, запирания и выключения тиристоров. Излагается теория и расчет тиристорных схем формирования, счета и распределения импульсов во времени и даются примеры их практического использования в конкретных радиоэлектронных устройствах. Оцениваются перспективы применения тиристоров специальных типов в ключевых и логических схемах.Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся как разработкой элементов систем управления, автоматики, телеметрии с использованием тиристоров, так и созданием полупроводниковых приборов на основе четырехслойной структуры. Книга также может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области радиоэлектроники.

В монографии представлены результаты теоретического и экспериментального исследования особенностей формирования поверхностных слоев материалов и покрытий в неравновесных условиях, типичных для современных способов обработки с использованием ионно-плазменных и импульсных электронно-лучевых технологий. Развиты подходы к теоретическому описанию механического поведения материалов, находящихся в неравновесном состоянии; к изучению диффузионных процессов в неравновесных условиях. Дано обобщение экспериментальных исследований механических свойств и структуры гомогенных и гетерогенных материалов с поверхностным слоем, модифицированным с применением высокодозовой ионной имплантации, электронных пучков и магнетронного распыления. Описаны физические явления, сопровождающие формирование неравновесных состояний поверхностных слоев, и их кинетические закономерности. Для специалистов, работающих в области поверхностной инженерии, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.