Радиационная стойкость гетероструктур AIGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / П. В. Рубанов ; науч. рук. А. В. Градобоев, офиц. оппоненты : В. М. Зыков, А. П. Коханенко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Юргинский технологический институт (филиал), Научно-исследовательский институт приборов. — Томск, 2012. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Легирование полупроводников: сб. статей / АН СССР, Институт металлургии им. А. А. Байкова; редкол. : Н. Х. Абрикосов (отв. ред.) [и др.]. — М.: Наука, 1982. — 278 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.40 р.

Микроэлектронные электросистемы. Применения в радиоэлектронике: монография / Ю. И. Конев [и др.] ; под ред. Ю. И. Конева. — М.: Радио и связь, 1987. — 239 с.: ил. — Библиогр.: с. 231-236. — 1.20 р.

Технология спецматериалов электронной техники: учеб. пособие для техникумов по спец. 2001 "Технология материалов электронной техники" / А. Я. Нашельский. — М.: Металлургия, 1993. — 368 с.: ил. — Библиогр.: с. 360. — ISBN 5-229-01064-9: 4000.00 р.

Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: учеб. для вузов по спец. "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" / Л. П. Павлов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987. — 237 с.: ил. — Библиогр.: с. 237. — 0.85 р.