| 1441 |
|
About New Mechanism of Energy Dissipation on Microlevel in Materials under Extreme Conditions Computer Study: научное издание / С. Г. Псахье [et al.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Xian.
|
| 1442 |
|
Принципы нанотехнологии: исследование конденсированных веществ малых систем на молекулярном уровне / Г. А. Мансури ; пер. с англ. А. С. Пак. — М.: Научный мир, 2008. — 317, [3] с.: ил.; 25 см. — (Приоритетные национальные проекты). — Предм. указ.: с. 307-317. — ISBN 978-5-89176-410-1: 511.00 р.
Автор настоящей книги, профессор Иллинойского университета г. Чикаго (США) Г. Али Мансури, известен как крупный специалист в областях химии нефтегазовых продуктов, термодинамики и статистической механики. Книга охватывает различные направления нанотехнологии: получение наноразмерных материалов с использованием специальных приборов, фундаментальные принципы самоорганизации, а также термодинамические аспекты, связанные с особенностями свойств и превращений, происходящих в материалах на наноуровне. Материал излагается довольно подробно и включает широкий круг проблем, предоставляя читателю необходимые знания основ науки о материалах. В приложении - исчерпывающем глоссарии, детально трактуются понятия, определения, уравнения и теории, химические формулы, аббревиатуры. Эту книгу можно использовать как учебное пособие для аспирантов и инициативных студентов, уже немного знакомых с квантовой и статистической механикой и специализирующихся в области технических, биологических и физических наук. Она также предназначена для ученых смежных областей, которые интересуются достижениями современных науки и технологиями наноразмерных материалов и хотят овладеть их методами. Монография издана в рамках инновационной образовательной программы МИЭТ "Современное профессиональное образование для российской инновационной системы в области электроники".
|
| 1443 |
|
Computer-aided Design of High-strength Al-Li Alloys: научное издание / П. В. Макаров, А. П. Николаев, И. Ю. Смолин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Xian.
|
| 1444 |
|
Stochastical Boundary Conditions for Computer Simulation of Materials under Loading of Different Type: научное издание / А. И. Дмитриев, С. Г. Псахье; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Институт физики прочности и материаловедения C. Xian.
|
| 1445 |
|
Основной органический синтез и нефтехимия.
вып. 24 :. — Ярославль, 1988. — 114, [2] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 1.00 р.
|
| 1446 |
|
Основной органический синтез и нефтехимия.
вып. 21 :. — Ярославль, 1985. — 115, [1] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 1.20 р.
|
| 1447 |
|
Основной органический синтез и нефтехимия.
вып. 10 :. — Ярославль, 1978. — 114, [1] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 1.32 р.
|
| 1448 |
|
Основной органический синтез и нефтехимия.
вып. 5 :. — Ярославль, 1976. — 141, [1] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 1.30 р.
|
| 1449 |
|
Исследование электрической формовки и деградатационных процессов в формованных системах металл-диэлектрик-металл: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.09.02 / В. М. Гапоненко ; науч. рук. Г. А. Воробьев, офиц. оппоненты: М. М. Михайлов, В. М. Калыгина; Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 1996. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.
|
| 1450 |
|
Численное моделирование процессов массопереноса в трибоконтакте методом подвижных клеточных автоматов: научное издание / А. И. Дмитриев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Берлинский технический университет (Берлин) // Гомель. Процесс изнашивания рассматривается как стохастический процесс, протекающий в поверхностных слоях контактирующих тел и включающий выкрашивание микрочастиц, их стохастический транспорт, а также процессы наносварки. Результаты исследования позволяют идентифицировать параметры макроскопической модели на основе моделирования процессов на наноуровне и тем самым осуществить переход от нано- к макроуровню.
|