Источники пучков ионов твердотельных веществ на основе вакуумно-дугового и пеннинговского разрядов для экстремальных режимов ионной имплантации: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.04 / Т. В. Кулевой ; науч. конс. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, А. А. Иванов, Г. Е. Ремнев; Ин-т теор. и эксперимент. физики им. А. И. Алиханова Нац. исслед. центра "Курчатовский институт", Ин-т прикл. физики РАН (Нижний Новгород). — Томск, 2019. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-35.

Генерация форвакуумным плазменным источником электронов сфокусированных непрерывных пучков для обработки диэлектрических материалов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04..04 / И. Ю. Бакеев ; науч. рук. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : И. С. Егоров, А. П. Семенов; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2019. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Сверхдиапазонные фазированные антенные решетки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.12.07 / Н. -Т. Ле ; науч. рук. В. А. Калошин, офиц. оппоненты : А. Ю. Гринев, В. Ф. Лось; Московский физ.-техн. ин-т (гос. ун-т) (М.), Ин-т сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Долгопрудный, 2020. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Управление параметрами низкоэнергетических сильноточных электронных пучков, генерируемых в пушках со взрывоэмиссионным катодом : дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04 / П. П. Кизириди ; науч. рук. Г. Е. Озур, офиц. оппоненты : Г. Е. Ремнев, С. Ю. Соковнин; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Ин-т ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН. — Томск, 2021. — 143 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 125-140.

Разработка методов увеличения пропускания и разрешающей способности малогабаритных статических масс-анализаторов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. С. Антонов ; науч. рук. В. Д. Саченко, науч. конс. Н. Н. Аруев, офиц. оппоненты : О. Ю. Цыбин, Александр Ахатович Ганеев; Физ.-тех. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН , Ин-т аналитического приборостроения РАН. — СПб., 2021. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.