| 1 |
|
Исследование особенностей прохождения электрического тока в полупроводниках с биполярной анизотропной проводимостью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Мисьник ; науч. рук. В. А. Чалдышев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, Б. А. Успенский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Институт полупроводников АН УССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 2 |
|
К теории автоэлектронной эмиссии полупроводников: автореферат дис. ... / Л. М. Баскин ; науч. рук.: Г. А. Месяц, Г. Н. Фурсей, офиц. оппоненты: В. Г. Багров, Г. Ф. Караваев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.), Институт радиотехники и электроники АН СССР (М.), Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск). — Томск, 1975. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 3 |
|
Экспериментальное исследование начальных стадий электрического взрыва проводников: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. П. Байков ; офиц. оппоненты: В. Е. Фортов , Г. А. Шнеерсон; Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР (Новосибирск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Новосибирск, 1981. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 4 |
|
Семиэлектрики: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. В. Афанасьев ; оппоненты: Ю. В. Аграфонов, Э. И. Бродская, Е. А. Раджабов; Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Институт химической физики им. Н. Н. Семенова РАН (М.), Иркутский государственный университет им. А. А. Жданова (Иркутск). — Иркутск, 1995. — 38 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-38.
|
| 5 |
|
Термодинамическое и статистическое исследование канальной стадии импульсного электрического пробоя конденсированных сред: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. Д. Ильюшенков ; науч. рук. М. П. Тонконогов, офиц. оппоненты: Ю. М. Волокобинский, Е. К. Завадовская; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Карагандинский политехнический институт (Караганда), Институт прикладной физики АН Молдавской ССР. — Томск, 1974. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20.
|
| 6 |
|
Гетероструктура ZnS-GaAs: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Атакова ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1974. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.
|
| 7 |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. М. Лупин ; науч. рук. П. Е. Рамазанов, офиц. оппоненты: А. П. Воробьев, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова (Одесса). — Томск, 1975. — 15 с. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 8 |
|
Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 9 |
|
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
| 10 |
|
Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ: монография / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль. — Саратов: Издательство Саратовского университета, 1999. — 376 с.: ил. — ISBN 5-292-02289-6: 51.00 р.
|
| 11 |
|
Формирование электрического пробоя в газах в режиме недонапряжения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Аливердиев ; науч. рук. А. З. Эфендиев, офиц. оппоненты: А. Ф. Александров, Ю. Д. Королев; Ин-т сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 1984. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.
|
| 12 |
|
Спектрально-генерационные исследования кристаллов граната и алюмината с примесью ионов эрбия: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Т. В. Санамян ; науч. рук. Р. Б. Костанян, офиц. оппоненты: Я. И. Ханин, Э. С. Вартанян; Институт физических исследований АН Армянской ССР (Аштарак), Институт радиофизики и электроники АН Армянской ССР. — Аштарак, 1988. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.
|
| 13 |
|
Эмиссионные и инжекционные свойства низкоразмерных углеродных материалов и гетероструктур на их основе: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / О. А. Стрелецкий ; науч. рук. В. В. Хвостов, офиц. оппоненты : В. Н. Мордкович, В. И. Красовский; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Российский научный центр "Курчатовский институт". — М., 2012. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.
|
| 14 |
|
Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 15 |
|
Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.
|
| 16 |
|
Нестационарная кинетика начальной стадии высоковольтного пробоя газоразрядных промежутков: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Н. С. Семенюк ; науч. рук. А. В. Козырев, офиц. оппоненты : Т. В. Коваль, В. Т. Астрелин; Ин-т сильноточной электроники СО РАН (Томск), Иркутский гос. ун-т (Иркутск). — Томск, 2022. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 125-139.
|
| 17 |
|
Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, Э. Н. Абдуллин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1997. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.
|
| 18 |
|
Воздействие электрического поля на кинетические свойства материалов с неквадратичным энергетическим спектром: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Э. В. Марчук ; науч. рук. С. В. Крючков, офиц. оппоненты: М. Б. Белоненко, А. О. Литинский; Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоградский государственный университет, Волгоградский государственный технический университет. — Волгоград, 2008. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 19 |
|
Токовые неустойчивости в многокомпонентных плазменных средах: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. И. Щедрин ; офиц. оппоненты: А. В. Недоспасов, П. М. Томчук, М. К. Балакирев; Институт физики АН УССР, Институт радиофизики и электроники АН УССР. — Киев, 1988. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 33-37.
|
| 20 |
|
Создание и исследование элементов рентгеновской оптики на основе искусственных структур с нанометровыми размерами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / А. А. Фирсов ; науч. рук. А. И. Ерко, офиц. оппоненты: Э. В. Суворов, Е. Б. Якимов; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (Черноголовка), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — Черноголовка, 1994. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22.
|
| 21 |
|
Ионный ток на зонд с учетом ионизации и столкновений в области возмущения плазмы: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. С. Игнахин ; науч. рук. В. И. Сысун, офиц. оппоненты : С. И. Мольков, Д. И. Балашов; Петрозаводский государственный университет, Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма". — Петрозаводск, 2012. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-21.
|
| 22 |
|
Исследование кинетики ударной ионизации и свечения в ЩГК: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Г. Еханин ; науч. рук.: Г. А. Воробьев, Н. С. Несмелов, офиц. оппоненты: Ю. Е. Крейндель, М. Б. Котляревский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники, Латвийский государственный университет им. П. Стучки. — Томск, 1974. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12.
|
| 23 |
|
Некоторые вопросы теории неустойчивости электронно-дырочной плазмы в электрическом и магнитном полях: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. И. Ципивка ; науч. рук.: В. А. Чалдышев, Г. Ф. Караваев, офиц. оппоненты: В. И. Гаман, Е. А. Литвинов; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Институт физики полупроводников (Новосибирск). — Томск, 1974. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 24 |
|
Влияние электронных возбуждений на процессы дефектообразования и диффузии в полупроводниках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / З. А. Искандерова ; науч. рук.: А. Е. Кив, М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Л. Н. Овандер, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Криворожский государственный пединститут, Институт ядерной физики АН КазССР. — Томск, 1975. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 25 |
|
Структурные состояния и фотоэлектрические и электретные свойства аморфных конденсатов на основе Sb2S3: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Полищук ; науч. рук. В. М. Косевич, науч. конс. В. Д. Кулибаба, офиц. оппоненты: В. А. Базакуца, В. К. Сорокин; Харьковский политехнический институт им. В. И. Ленина (Харьков), Ужгородский государственный университет (Ужгород). — Харьков, 1987. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 26 |
|
Нелинейная динамика потоков осцилляторов в постоянном магнитном поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. В. Богданов ; науч. рук.: А. А. Рухадзе, М. В. Кузелев, офиц. оппоненты: Б. А. Альтеркоп, В. Л. Братман; Институт общей физики АН СССР, Московский государственный университет. — М., 1986. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12.
|
| 27 |
|
Вторичная электронная эмиссия рельефной поверхности твердого тела: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Новиков ; офиц. оппоненты: В. Ф. Киселев, М. Н. Филиппов, Б. Н. Васичев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный инженерно-физический институт (государственный университет) (М.). — М., 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-37.
|
| 28 |
|
Кинетические эффекты в поперечном наносекундном разряде с щелевым катодом в инертных газах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. С. Кобзева ; науч. рук.: Н. А. Ашурбеков, К. О. Иминов, офиц. оппоненты: Ф. И. Высикайло, М. М. Гаджиалиев; Дагестанский государственный университет (Махачкала), Объединенный институт высоких температур РАН. — Махачкала, 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18.
|
| 29 |
|
Исследование процесса нагрева металлических проводников в вакууме импульсом тока большой плотности: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / С. М. Караханов ; науч. рук. В. М. Титов, офиц. оппоненты: В. Я. Ушаков, В. И. Петросян ; Институт гидродинамики СО АН СССР, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (СПб.), Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР. — Новосибирск, 1978. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.
|
| 30 |
|
Макроскопическая кинетика фазовых превращений в условиях импульсного нагрева металла током: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Я. Г. Эпельбаум ; науч. рук.: А. З. Паташинский, А. М. Искольдский, офиц. оппоненты: С. И. Анисимов, В. С. Львов; Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР (Новосибирск), Институт высоких температур (М.). — Новосибирск, 1978. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 31 |
|
Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении сверхплотными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. Г. Таванов ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Томск, 1980. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 32 |
|
Комплексное исследование состояния и взаимодействия примесных и собственных дефектов в монокристаллах KCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / У. Шукуров ; науч.рук. А. А. Алыбаков, науч. конс. И. В. Мурин, офиц. оппоненты: А. А. Урусовская, А. Н. Озерной; Институт ядерной физики АН Казахской ССР (Алма-Ата), Фрунзенский политехнический институт. — Алма-Ата, 1987. — 17 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 17.
|
| 33 |
|
Оптические и сверхпроводящие свойства псевдощелевого состояния в модели "горячих точек": автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / Н. А. Кулеева ; науч. рук. М. В. Садовский, офиц. оппоненты: И. М. Суслов, Н. М. Зубарев; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт физики металлов УрО РАН (Екатеринбург). — Екатеринбург, 2005. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.
|
| 34 |
|
Исследование разряда в скрещенных полях в неоне: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Сасин ; науч. рук. С. Д. Вагнер, офиц. оппоненты : Л. Д. Цендин, В. И. Сысун; Карельская государственная педагогическая академия, Санкт-Петербургский государственный университет, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 2010. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 35 |
|
Кинетические процессы формирования плазменных структур в поперечных наноструктурных разрядах с полым катодом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / О. В. Кобзев ; науч. рук. Н. А. Ашурбеков, науч. конс. К. О. Иминов, офиц. оппоненты : В. Л. Бычков, М. М. Гаджиалиев; Дагестанский государственный университет. — Махачкала, 2011. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-18.
|
| 36 |
|
Температурная зависимость проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении сильноточными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Наминов ; науч рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: Э. Д. Алукер, В. С. Старцев; Уральский политехнический ин-т им. С. М. Кирова, Ин-т физики АН ЭССР. — М., 1982. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 37 |
|
Высокоэнергетическая электроника твердого тела: монография / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; под ред. Д. И. Вайсбурда. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 227 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225.
В монографии излагаются результаты первого систематического исследования свойств ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников при импульсном облучении электронными пучками средней и высокой плотности. Авторы обнаружили и подробно рассматривают ряд новых явлений: высокоэнергетическую проводимость, фундаментальную плазменную люминесценцию, хрупкое раскалывание диэлектрических и полупроводниковых кристаллов.Книга представляет интерес для специалистов по физике диэлектриков и полупроводников, радиационной физике твердого тела, электронике, сильноточной ускорительной технике. Материал книги также полезен студентам старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 38 |
|
Физика электронной проводимости в твердых телах: переводное издание / Ф. Блатт ; пер. с англ. Г. Л. Краско, Р. А. Суриса. — М.: Мир, 1971. — 470 с.: ил. — Парал. тит. лист англ. — 2.22 р.
|
| 39 |
|
Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 40 |
|
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.
|
| 41 |
|
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического тока: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. К. Келбиханов ; науч. рук. Г. А. Абдурагимов, офиц. оппоненты: Н. М. Богатов, Р. А. Рабаданов; Дагестанский государственный педагогический университет (Махачкала). — Нижний Новгород, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.
|
| 42 |
|
Теоретическое моделирование динамики слойного импульсного разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / А. С. Сметанников ; науч. рук. Г. С. Романов, офиц. оппоненты: И. В. Немчинов, А. В. Лучинский; Институт физики АН БССР (Минск), Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко, Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова. — Минск, 1986. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 11-12.
|
| 43 |
|
Исследование механизмов инициирования электрического пробоя вакуумных промежутков на постоянном напряжении: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. А. Невровский ; офиц. оппоненты: Г. Н. Фурсей, А. В. Жаринов, Э. А. Азизов; Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова (М.), Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Институт электрофизики УрО АН СССР. — М., 1987. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 31-32.
|
| 44 |
|
Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. И. Вайсбурд ; офиц. оппоненты: К. С. Александров, О. В. Богданкевич, Ч. Б. Лущик; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт физики твердого тела АН СССР (Черноголовка). — М., 1984. — 50 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 45-49.
|
| 45 |
|
Низкочастотная неустойчивость слабоионизованной столкновительной токонесущей плазмы, обусловленная отрицательной диффузией: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / М. Х. Ри ; науч. рук. А. А. Рухадзе, офиц. оппоненты: Л. С. Кузменков, Ю. М. Алиев; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Университет дружбы народов им. П. Лумумбы. — М., 2002. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.
|
| 46 |
|
Разряд в газах среднего и высокого давления в квазиоптическом пучке электромагнитных волн СВЧ-диапазона: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / И. И. Есаков ; науч. конс. К. В. Ходатаев, офиц. оппоненты: Ю. А. Лебедев, В. В. Скворцов, М. Г. Никулин; Московский радиотехнический институт РАН (М.), Объединенный институт высоких температур РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 2009. — 38 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-37.
|
| 47 |
|
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. Ю. Саркисов ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты: А. П. Коханенко, А. И. Грибенюков; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 48 |
|
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. М. Дзядух ; науч. рук. А. В. Войцеховский, офиц. оппоненты : О. П. Толбанов, А. А. Вилисов; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Томский университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.
|
| 49 |
|
Разряд в газах среднего и высокого давления в квазиоптическом пучке электромагнитных волн СВЧ-диапазона: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.08 / И. И. Есаков; Моск. радиотехн. ин-т РАН. — М., 2010. — 41 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 37-41.
|
| 50 |
|
Плотность и электропроводность металлических проводников при их подводном электроимпульсном взрыве: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.14 / С. В. Коваль ; науч. рук. М. Н. Чесноков, офиц. оппоненты : В. М. Адамян, И. И. Репа; Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова, Проектно-конструкторское бюро электрогидравлики АН УССР, Институт высоких температур АН СССР. — Одесса, 1986. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|