Исследования тлеющего разряда в вихревом потоке газа: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / Х. Д. Ламажапов ; науч. рук. В. Т. Волов, офиц. оппоненты: Е. Я. Коган, В. П. Захаров; Самарский институт инженеров железнодорожного транспорта МПС РФ (Самара), Самарский филиал Физического института РАН (Самара), Самарский государственный аэрокосмический университет (Самара). — Самара, 1998. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Научные основы создания и регулирования резистивных свойств высоконаполненных эластомеров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. Н. Минакова ; науч. конс. В. Я. Ушаков, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, К. П. Арефьев, В. Э. Борзых; Томский политехнический университет (Томск), Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Томск, 2001. — 45 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-45.

Теоретическое исследование автоэлектронной эмиссии из сверхпроводящих материалов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02, 01.04.13 / И. В. Уйманов ; науч. рук. Е. А. Литвинов, офиц. оппоненты: М. В. Медведев, Ю. Д. Панов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Башкирский государственный университет (Уфа). — Екатеринбург, 2001. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Моделирование процесса лазерного зажигания конденсированных взрывчатых веществ: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ю. Морозова ; науч. рук. В. П. Ципилев, офиц. оппоненты : А. В. Ханефт, Г. В. Кузнецов; Томский политехнический университет, Томский государственный университет, Научно-исследовательский институт прикладной математики и механики. — Томск, 2010. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Люминесценция кристаллов с оксианионами и оксидных стекол при возбуждении импульсами потока электронов : автореферат дис. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Ф. Полисадова ; науч. конс. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: А. И. Непомнящих, И. А. Вайнштейн, Т. С. Шамирзаев; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2017. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 39-43.