Изложены основы расчета электрических цепей постоянного и переменного тока, дано описание электрических машин, электронных приборов, ЭВМ и т. д. Приведены новые материалы по интегральным микросхемам, микропроцессорам и микроЭВМ.

Книга является коренной переработкой учебника автора "Ионные приборы", вышедшей из печати в 1955 г. По сравнению с первым изданием, в книге рассмотрены не только приборы дугового несамостоятельного и самостоятельного разрядов, но и все разновидности приборов тлеющего разряда. Рассмотрены общие закономерности, на которых базируются физические свойства и характеристики рассмотренных классов приборов.Книга рассчитана на использование ее в качестве учебного пособия на газоразрядных специализациях специальности "Промышленная электроника", а также в качестве пособия на других электронных специальностях вузов. Книга может быть использована также в качестве руководства у той категории инженерно-технических работников, которые в своей практической деятельности связаны с газоразрядной техникой.

В книге рассматриваются физика полупроводников и физические процессы в полупроводниковых приборах, их основные характеристики, параметры, конструкции и основы технологии; основные вопросы надежности и теплоотвода, а также вопросы моделирования режимов работы силовых полупроводниковых приборов; схемы управления силовых полупроводниковых приборов и преобразовательных устройств; схемы последовательного и параллельного соединения тиристоров, а также схемы импульсных устройств на тиристорах. Приводятся основные типы новых силовых высоковольных ионных приборов с объяснением происходящих в них физических процессов, конструктивные особенности и основные области применения силовых ионных приборов. Дается технико-экономическое обоснование эффективности применения силовых приборов в устройствах преобразовательной техники.

В справочнике приведены сведения о приборах, применяемых в средствах активного контроля. Рассмотрены конструкции приборов для круглошлифовальных, внутришлифовальных, бесцентрово-шлифовальных, плоско-шлифовальных, хонинговальных станков. Изложены методы проверки, наладки и испытания приборов. Второе издание (1-е изд. 1971г.) дополнено разделами по самонастраивающимся средствам активного контроля, индуктивным приборам, высокопроизводительным пневматическим приборам. Справочник предназначен для рабочих, наладчиков и технологов.

Описаны конструкции и программное обеспечение установки для испытаний на низкотемпературную ползучесть высокопластичных металлов и сплавов с относительно низкими температурами плавления. Установка позволяет регистрировать кривые ползучести с записью в компьютерный файл, а затем выполнять анализ полученных зависимостей. Приведен пример использования установки для исследования влияния поверхностных зарядов на ползучесть технически чистого алюминия при комнатной температуре.

Рассмотрены физические принципы генерации и взаимодействия лазерного излучения с металлооптическими материалами. Сформулированы общие требования к оптической поверхности. Показана принципиальная возможность математического моделирования конструктивных схем и термомеханического нагружения отражателей различных систем тремя типами моделей: полупространством, конечным цилиндром и пластиной. Привлекательность этих моделей обусловлена наличием точного аналитического решения задач термоупругости для указанных геометрических конфигураций. Исследовано влияние макроскопических поверхностных и приповерхностных дефектов на геометрическую стабильность оптической поверхности лазерных зеркал. Изучены механизмы структурной стабильности материалов металлооптики при термомеханическом нагружении оптической поверхности отражателей. На основе аналитического решения модельных задач термомеханики дан строгий вывод параметров стабильности металлооптических материалов для сравнительного анализа перспективности их использования в лазерных зеркалах. Монография полезна научным сотрудникам и инженерам при проектировании лазерных систем различного назначения.

В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологии и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.

В монографии представлены результаты работ ИФП СО РАН по развитию нанотехнологий и методов диагностики для создания нового поколения устройств и приборов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: технологии молекулярно-лучевой эпитаксии; методы наноструктурирования, позволяющие создавать двух- и трехмерные наноструктуры различных форм и геометрии; современные методы диагностики полупроводниковых наноструктур с атомным разрешением; результаты применения нанотехнологии для изготовления устройств наноэлектроники. Монография представляет интерес для специалистов в области физики полупроводников, физики и химии твердого тела, микро-, наноэлектроники и нанотехнологии.

Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.

Описаны самые современные измерительные приборы: измерители R, С и L, мультиметры, измерительные ВЧ- и НЧ-генераторы, импульсные и функциональные генераторы, аналоговые и цифровые стационарные и портативные осциллографы, в том числе уникальные. Особое внимание уделено массовым дешевым (бюджетным) приборам и технике измерений, в том числе с применением виртуальных и компьютеризированных лабораторий, и их применению в практике электронных измерений. Ряд материалов посвящен работе с современными цифровыми осциллографами и функциональными генераторами. Рассмотрена современная элементная база и схемотехника измерительных устройств. В книге около шестисот иллюстраций и осциллограмм. Для работников служб ремонта и сервиса сложной электронной техники, научных работников и инженеров, студентов, аспирантов, преподавателей и лаборантов вузов и университетов, а также для подготовленных радиолюбителей.

В монографии рассматривается история возникновения двух новых научно-технических направлений - химических лазеров и лазерной химии.Издание рассчитано на специалистов по лазерным системам и их применению в химии, а также лиц, интересующихся историей науки.