В систематизированном виде изложены принципы построения малогабаритных оптических передатчиков на базе инжекционных излучателей. Анализируются характеристики полупроводниковых лазеров, светодиодов при действии совокупности дестабилизирующих факторов и определяются требования к генераторам их накачки. Исследованы переходные процессы, происходящие в различных по принципу действия ключевых коммутаторах, приводятся инженерные расчеты по выбору основных параметров оптических передатчиков, а также схемотехнические решения, обеспечивающие требуемые параметры модуляции с применением различных по быстродействию и по принципу действия ключевых элементов. Приведены данные исследований по стабилизации и измерению параметров светового излучения оптических передатчиков.Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, производством и эксплуатацией современной оптоэлектронной аппаратуры; может быть полезна студентам радиотехнических специальностей вузов.

Книга является переводом второго тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной крупными японскими специалистами. Посвящена методам разработки, изготовления и применения оптоэлектронных элементов, устройств памяти ЭВМ, а также устройств визуального отображения информации. Рассмотрены физические принципы работы этих устройств, их контрукторская реализация и практика использования в различных системах.Для специалистов в области электроники и вычислительной техники, инженеров, занимающихся производством этой техники, а также студентов соответствующих специальностей.

Полупроводниковые инжекционные лазеры получают все более широкое практическое применение. Массовые масштабы имеет их использование в волоконо-оптических системах передачи информации. За последнее время к исследованиям и разработкам в области лазеров этого типа привлечено много новых специалистов. Резко возросло количество научных публикаций в периодической печати. В данной книге представлены и кратко обсуждены главные проблемы физики лазерных полупроводниковых устройств инжекционного типа. Экспериментальные данные включены, главным образом, в виде примеров к отдельным параграфам и таблиц. Учтены новейшие научные результаты, относящиеся к гетеролазерм на основе многокомпонентных (четверных) систем твердых растворов. Рассмотрены более подробно механизм излучательных переходов, механизм накачки, закономерности формирования спектра лазерного излучения, некоторые нелинейные оптические явления, характерные для инжекционных лазеров.

В книге приводится краткое изложение физических основ полупроводниковой электроники, необходимых для анализа рабочих процессов в оптоэлектронных устройствах и системах различного назначения. Рассмотрены физико-технологические, материаловедческие, оптико-физические, схемотехнические и системные аспекты многоуровневого проектирования широкого спектра оптоэлектронных устройств и интегральных оптоэлектронных систем обработки, передачи и отображения информации, а также рассмотрены традиционные и новые области применения оптоэлектронных устройств и приборов в системах связи, силовой электроники, высокоэнергетичной фотоэлектроники.