Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 271 - 275 из 551 для dc.subject any/relevant "магнитные велич ... ( 0.297 сек.)

271
Сборник задач по теоретическим основам электротехники: учеб. пособие для вузов / Л. А. Бессонов [и др.] ; под ред. Л. А. Бессонова. — 4-е изд., перераб. — М.: Высшая школа, 2000. — 528 с.: ил. — Библиогр.: с. 523. — ISBN 5-06-003795-9: 124.50 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
272
Рекус, Григорий Гаврилович.
Сборник задач и упражнений по электротехнике и основам электроники: учеб. пособие для неэлектротехнических специальностей вузов / Г. Г. Рекус, А. И. Белоусов. — 2-е изд., перераб. — М.: Высшая школа, 2001. — 416 с.: ил. — Библиогр.: с. 414. — ISBN 5-06-003984-6: 100.50 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
273
Кристаллизация и свойства кристаллических веществ: сборник научных трудов / Кольский филиал им. С. М. Кирова АН СССР. — Л.: Наука, 1971. — 95, [2] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 0.33 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
274
Никифоров, Константин Георгиевич.
Многокомпонентные магнитные полупроводники: монография / К. Г. Никифоров. — Калуга: КГПУ им. К. Э. Циалковского, 2000. — 176 с.: ил. — Библиогр.: с. 151-161. — Предм. указ.: с. 166-172. — ISBN 5-88725-054-2: 60.00 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
275
Еремеев, Сергей Владимирович.
Электронная структура и спиновая поляризация на границе раздела NiMnSb/GaAs (110): научное издание / С. В. Еремеев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // М.
В рамках теории функционала электронной плотности на основе первых принципов проведен расчет электронной структуры и магнитных свойств границы раздела (110) между сплавом NiMnSb и GaAs в зависимости от конфигурации контактных атомов. Обнаружено, что две их шести возможных атомных конфигураций границы раздела обладает высокой степенью спиновой поляризации, которая достигает 100% для одной из изученных интерфейсных структур.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи