Исследование поведения водорода в нержавеющей стали при температурном и радиационном воздействии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / М. А. Х. Адель ; науч. рук. И. П. Чернов, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, Г. П. Грабовецкая; Томский политехнический университет, Томский государственный архитектурно-строительный университет. — Томск, 2010. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Модифицирование свойств поверхности низкоуглеродистой стали электрической дугой низкого давления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07, 05.02.07 / В. В. Демиденко ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, оппоненты: Ю. П. Шаркеев, В. П. Нестеренко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск), Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского (Омск). — Томск, 2011. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Моделирование тепловой эрозии поверхности твердого тела под действием мощных импульсных пучков заряженных частиц: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Степанова ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: С. В. Смирнов, Ю. П. Шаркеев; Томский политехнический университет (Томск), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2009. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Оборудование и методы импульсно-периодической ионной и плазменной обработки материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.20 / И. Б. Степанов ; научн. конс. А. И. Рябчиков, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, Г. Е. Ремнев, Г. Ю. Юшков; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-44.

Формирование ленточных и псевдоленточных пучков ионов металлов и плазмы: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.20 / Д. О. Сивин ; науч. рук. А. И. Рябчиков, офиц. оппоненты : Ю. П. Усов, С. В. Смирнов; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-22.

Моделирование захвата и вывода электронного пучка бетатрона с азимутальной вариацией поля: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / Т. С. Иванилова ; науч. рук. Ю. Н. Адищев, офиц. оппоненты : В. Л. Чахлов, В. М. Попик; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН. — Томск, 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Некамуфлетный электровзрыв в твердых диэлектриках и разработка генераторов для электроимпульсной технологии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Л. А. Гельфонд ; науч. рук. И. И. Каляцкий, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, Г. Е. Ремнев; Томский политехнический институт им. С.М. Кирова (Томск), Проектно-конструкторское бюро электрогидравлики АН УССР (Николаев). — Томск, 1987. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 15-18.

Разработка и исследование пучково-плазменных методов повышения эксплуатационных свойств изделий из металлических материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / К. Уемура; Нац. исслед. Том. политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 26 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.

Получение мощных ионных пучков для технологических целей: автореферат дис. ... д-ра техн. наук в форме научного доклада : 01.04.20, 01.04.07 / Г. Е. Ремнев ; офиц. оппоненты: Б. М. Ковальчук, Б. А. Калин, В. А. Москалев; Томский политехнический университет (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1994. — 67 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 59-67.