Депарафинизация нефтяных остатков / Б. Хулан, В. М. Бембель, А. К. Головко, Б. Ширчин; Ин-т химии нефти СО РАН, Ин-т химии и хим. технологии МАН // .

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Углеводороды высокопарафинистых нефтей месторождения Тамсагбулаг (Монголия) / Б. Хонгорзул, Г. С. Певнева, А. К. Головко, Б. Пурэвсурэн // М.

Получение пенокриогелей химическим генерированием газа в полном растворе поливинилового спирта / Л. К. Алтунина, В. Н. Манжай, Л. А. Стасьева, М. С. Фуфаева; Институт химии нефти СО РАН // СПб.