Исследование особенностей прохождения электрического тока в полупроводниках с биполярной анизотропной проводимостью: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Мисьник ; науч. рук. В. А. Чалдышев, офиц. оппоненты : Г. А. Воробьев, Б. А. Успенский; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Институт полупроводников АН УССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Высокотемпературные сверхпроводники и мощные импульсные токи: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. Н. Паранин ; науч. рук.: Ю. А. Котов, В. В. Иванов; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Екатеринбург, 1993. — 114 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 106-114.

Моделирование сильноточных устройств и измерительных цепей: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / Н. Е. Родионов ; науч. рук. А. М. Искольдский, офиц. оппоненты: В. М. Быстрицкий, А. О. Егоршин; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт прикладной физики АН СССР (Горький). — Томск, 1988. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров Шоттки: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. Карфул ; науч. рук. В. А. Дорин, науч. конс. М. А. Погарский, офиц. оппоненты: А. А. Лебедев, В. Г. Сидоров; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), ОКБ МГП НПО "Светлана". — СПб., 1992. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Создание и исследование элементов рентгеновской оптики на основе искусственных структур с нанометровыми размерами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / А. А. Фирсов ; науч. рук. А. И. Ерко, офиц. оппоненты: Э. В. Суворов, Е. Б. Якимов; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (Черноголовка), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — Черноголовка, 1994. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22.