Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах = Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices: монография / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. : В. А. Гриценко, А. Л. Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова [и др.]. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2011. — 156 с.: ил. — (Интеграционные проекты СО РАН / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние). — Авт. указаны на обороте тит. л. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1183-6: 5.00 р.
Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1-x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах : оксида SiO2, оксинитрида SiO2Ny, и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.