| 101 |
|
Высокоэнергетическая электроника твердого тела: монография / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; под ред. Д. И. Вайсбурда. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 227 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225.
В монографии излагаются результаты первого систематического исследования свойств ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников при импульсном облучении электронными пучками средней и высокой плотности. Авторы обнаружили и подробно рассматривают ряд новых явлений: высокоэнергетическую проводимость, фундаментальную плазменную люминесценцию, хрупкое раскалывание диэлектрических и полупроводниковых кристаллов.Книга представляет интерес для специалистов по физике диэлектриков и полупроводников, радиационной физике твердого тела, электронике, сильноточной ускорительной технике. Материал книги также полезен студентам старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 102 |
|
Физика электронной проводимости в твердых телах: переводное издание / Ф. Блатт ; пер. с англ. Г. Л. Краско, Р. А. Суриса. — М.: Мир, 1971. — 470 с.: ил. — Парал. тит. лист англ. — 2.22 р.
|
| 103 |
|
Квантовый транспорт : от атома к транзистору / С. Датта; пер. с англ. Д. В. Хомицкого; под ред. В. Я. Демиховского. — М.; Ижевск: Институт компьютерных исследований: Регулярная и хаотическая динамика, 2009. — 531 ил. — Библиогр.: с. 524-527. — ISBN 978-5-93972-744-0: 150.00 р.
Книга С. Датта, автора известных работ в области нанофизики и наноэлектроники, посвящена проблемам электронного транспорта в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Последовательно рассматриваются различные квантовые системы, от атома водорода до нанотранзистора. Излагаются наиболее общие понятия и методы неравновесной статистической механики и кинетики, и при этом не предполагается первоначальное знакомство читателя с квантовой механикой. В книге приведено большое количество численных примеров, а также программ в пакете MATLAB для проведения расчетов квантовых состояний и транспорта в объемных полупроводниках и низкоразмерных структурах. Дополнения к данному изданию в форме видеолекций, посвященных ключевым результатам книги, содержатся на Интернет-сайте автора. Книга рассчитана на научных работников, инженеров, студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния и наноэлектроники.
|
| 104 |
|
Итоги науки и техники. — М.; : ВИНИТИ , Б.г. — (Серия "Физика плазмы" ).
Т. 4 :. — , 1983. — 273 с.: ил. — 3.10 р.
|
| 105 |
|
Диэлектрики в наноэлектронике / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, рец.: В. Н. Овсюк, О. П. Пчеляков; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. — 257 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1081-5: 5.00 р.
Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.
|
| 106 |
|
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках: монография / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. — 368 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 367-368. — 2.90 р.
|
| 107 |
|
Действие излучений на полупроводники: монография / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Библиогр.: с. 180-181. — Предм. указ.: с. 188. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20 р.
|
| 108 |
|
Точечные дефекты в полупроводниках : экспериментальные аспекты: переводное издание / Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина, В. И. Козуба, Э. Б. Сонина, под ред. В. Л. Гуревича. — М.: Мир, 1985. — 304 с.: ил. — Библиогр.: с. 289-297. — Предм. указ.: с. 298-300. — 2.70 р.
|
| 109 |
|
Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник: монография / А. В. Ржанов [и др.] ; отв. ред. А. В. Ржанов; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт физики полупроводников. — М.: Наука, 1976. — 279 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.15 р.
|
| 110 |
|
Резонансные процессы в электромагнитном поле: [учеб. пособие] / В. А. Астапенко; Федер. агентство по образованию, Моск. физ.-техн. ин-т (гос. ун-т). — М.: МФТИ, 2007. — 170 с.: граф.; 21 см. — На обл.: Инновац. образоват. программа "Наукоемкие технологии и экономика инноваций" Моск. физ.-техн. ин-та (гос. ун-та) на 2006-2007 гг. — Библиогр.: с. 169-170. — ISBN 5-7417-0167-1: 271.00 р.
Пособие посвящено основам физики взаимодействия излучения с веществом, в котором существенную роль играют резонансные процессы. Дано изложение основных понятий, необходимых для понимания и количественного описания фотопроцессов в монохроматических и бихроматических полях, а также когерентных оптических явлений. Приведены эксперименты последнего времени по когерентному фазовому контролю радиационных явлений при взаимодействии бихроматического излучения с атомами и наноструктурами. Рассмотрены особенности фемтосекундного фотонного эха на нанокристаллах. Дана теория столкновительно-излучательных процессов с учетом поляризационного канала, включая резонансный тормозной эффект и излучение релятивистских частиц на нанокластерах. Представленный материал закладывает необходимый фундамент для научно-исследовательской и инновационной деятельности в области высокотехнологичных применений лазерной физики и квантовой электроники. Предназначено для студентов и аспирантов, специализирующихся к области физической и квантовой электроники, лазерной физики и смежных дисциплин.
|