Рост кристаллов в расплаве. Кристаллографический анализ и эксперимент / М. Д. Любалин. — СПб.: Наука, 2008. — 390 с.: ил.; 22 см. — На тит. с.: Акад. книгоиздательство России-280 лет; Изд. осуществлено при поддержке РФФИ по проекту №07-05-07011. — Библиогр.: с. 378-390. — ISBN 978-5-02-025190-8: 150.50 р.
Представлены результаты исследования закономерностей роста кристаллов в расплавах. Обоснован симметричный подход к анализу процессов формирования кристаллов и пленок в несферических полях температур. Изложена методика анализа идеальной поверхности кристаллов с количественной оценкой насыщенности связей на грани, характеризующей силу взаимодействия поверхности с встраивающимися в структуру частицами. Показано, что уточненный анализ проблемы морфогенеза монокристаллов и двойников четко согласуется с экспериментом. Описаны закономерная эволюция габитуса свободно растущих кристаллов при изменении степени переохлаждения расплава и резкое габитусное превращение при достижении критического переохлаждения. Приведены решения вопросов ориентационной обусловленности кристаллообразования в расплавах, касающиеся морфологической устойчивости, дефектов структуры, захвата примесей. Для кристаллографов. минералогов и материаловедов. специалистов в области управляемой кристаллизации расплавов, выращивания кристаллов и пленок.