Исследование высоковольтной стадии вакуумного разряда для получения квазистационарных электронных пучков: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Э. Н. Абдуллин ; науч. рук. С. П. Бугаев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР. — Томск, 1982. — 128 с.: рис. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 114-128.

Исследование и подавление обратных связей в фотоэлектронных приборах: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Р. И. Багдуев; Предприятие п/я Р-6964; Организация п/я А-1501. — Новосибирск, 1988. — 144 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 130-139.

Исследование и подавление обратных связей в фотоэлектронных приборах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Р. И. Багдуев ; офиц. оппоненты: А. Г. Берковский, Л. Б. Безруков; Организация п/я А-1501, Предприятие п/я Р-6964, Научно-исследовательский институт электронных приборов. — Новосибирск, 1988. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 19-20.

Высоковольтная сильноточная фаза вакуумного и плазменного разрядов и управление их параметрами: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в форме науч. доклада : 05.27.02 / Г. П. Баженов ; офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, Л. М. Баскин, Г. М. Кассиров; Институт электрофизики УрО РАН, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1993. — 68 с.: рис. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 62-68.

Отбор проб и анализ природных газов нефтегазоносных бассейнов: научное издание / [В. А. Ванюшин, Л. М. Завьялова, Г. С. Коробейник и др.] ; под ред. И. С. Старобинца, М. К. Калинко. — М.: Недра, 1985. — 238, [2] с. — 1.20 р.

Кинетика процессов в плазме разряда накачки XeCl лазера и их влияние на характеристики излучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / С. А. Ямпольская ; науч. рук. А. Г. Ястремский, офиц. оппоненты: В. М. Климкин, Э. А. Соснин; Институт сильноточной электроники (Томск). — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Исследование мощных импульсных источников мягкого рентгеновского излучения: дис. в форме науч. док. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.13 / Р. Б. Бакшт ; офиц. оппоненты: А. М. Искольдский, И. В. Немчинов, М. М. Никитин; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 1992. — 44 с.: рис. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 34-37.

Исследование начальной стадии электрической формовки тонкопленочных систем: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Ю. А. Баренгольц ; науч. рук. Ю. Б. Янкелевич; Томский государственный педагогический институт им. Ленинского Комсомола. — Томск, 1987. — 133 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 120-133.

Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1997. — 131 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 119-129.

Влияние состояния поверхности электродов на характеристики вакуумного пробоя: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Батраков ; науч. рук. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, Э. Н. Абдуллин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1997. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.